Epitaxial growth of SiC by chemical vapor deposition and application to electronic devices CVD法によるSiCのエピタキシャル成長と電子デバイスへの応用

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著者

    • 芝原, 健太郎 シバハラ, ケンタロウ

書誌事項

タイトル

Epitaxial growth of SiC by chemical vapor deposition and application to electronic devices

タイトル別名

CVD法によるSiCのエピタキシャル成長と電子デバイスへの応用

著者名

芝原, 健太郎

著者別名

シバハラ, ケンタロウ

学位授与大学

京都大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第3995号

学位授与年月日

1988-03-23

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000035879
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000035940
  • NDL書誌ID
    • 000000200193
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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