Epitaxial growth of SiC by chemical vapor deposition and application to electronic devices CVD法によるSiCのエピタキシャル成長と電子デバイスへの応用

Access this Article

Search this Article

Author

    • 芝原, 健太郎 シバハラ, ケンタロウ

Bibliographic Information

Title

Epitaxial growth of SiC by chemical vapor deposition and application to electronic devices

Other Title

CVD法によるSiCのエピタキシャル成長と電子デバイスへの応用

Author

芝原, 健太郎

Author(Another name)

シバハラ, ケンタロウ

University

京都大学

Types of degree

工学博士

Grant ID

甲第3995号

Degree year

1988-03-23

Note and Description

博士論文

Table of Contents

  1. 目次 (10コマ目)
1access

preview

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    500000035879
  • NII Author ID (NRID)
    • 8000000035940
  • DOI(JaLC)
  • DOI(NDL)
  • Text Lang
    • eng
  • NDLBibID
    • 000000200193
  • Source
    • Institutional Repository
    • NDL ONLINE
    • NDL Digital Collections

Export

Page Top