Si MOS反転層内電子の量子化ホール効果の研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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Si MOS反転層内電子の量子化ホール効果の研究
- 著者名
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木下, 攘止
- 著者別名
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キノシタ, ジョウジ
- 学位授与大学
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名古屋大学
- 取得学位
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理学博士
- 学位授与番号
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乙第2624号
- 学位授与年月日
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1984-05-02
注記・抄録
博士論文
Si MOS反転層内電子の量子化ホール効果の研究
木下, 攘止
キノシタ, ジョウジ
名古屋大学
理学博士
乙第2624号
1984-05-02
博士論文