MOSゲートを有するシリコンP[+]-i-n[+]ダイオードの電気的特性に関する研究

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著者

    • 崔, 一[エイ] サイ, カズエイ

書誌事項

タイトル

MOSゲートを有するシリコンP[+]-i-n[+]ダイオードの電気的特性に関する研究

著者名

崔, 一[エイ]

著者別名

サイ, カズエイ

学位授与大学

東海大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第43号

学位授与年月日

1984-03-25

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000041847
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000041922
  • NDL書誌ID
    • 000000206161
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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