窒化燐絶縁膜の形成とInP MISFET素子への応用に関する研究

Access this Article

Search this Article

Author

    • 廣田, 幸弘 ヒロタ, ユキヒロ

Bibliographic Information

Title

窒化燐絶縁膜の形成とInP MISFET素子への応用に関する研究

Author

廣田, 幸弘

Author(Another name)

ヒロタ, ユキヒロ

University

北海道大学

Types of degree

工学博士

Grant ID

乙第3457号

Degree year

1988-09-30

Note and Description

博士論文

Table of Contents

  1. 目次 (3コマ目)
0access

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    500000043019
  • NII Author ID (NRID)
    • 8000000043094
  • DOI(NDL)
  • NDLBibID
    • 000000207333
  • Source
    • NDL ONLINE
    • NDL Digital Collections

Export

Page Top