Characterization of Si-SiO[2] interface by the electrical conductivity at low temperatures MOS型電界効果トランジスタの低温に於ける電気伝導率の測定によるシリコン-二酸化シリコン界面の特性評価
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書誌事項
- タイトル
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Characterization of Si-SiO[2] interface by the electrical conductivity at low temperatures
- タイトル別名
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MOS型電界効果トランジスタの低温に於ける電気伝導率の測定によるシリコン-二酸化シリコン界面の特性評価
- 著者名
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八木, 厚夫
- 著者別名
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ヤギ, アツオ
- 学位授与大学
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学習院大学
- 取得学位
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理学博士
- 学位授与番号
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乙第34号
- 学位授与年月日
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1981-03-07
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 (5コマ目)