Study of self-aligned GaAs MESFET integrated circuits セルフアライメント形GaAs MESFET集積回路の研究

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著者

    • 横山, 直樹 ヨコヤマ, ナオキ

書誌事項

タイトル

Study of self-aligned GaAs MESFET integrated circuits

タイトル別名

セルフアライメント形GaAs MESFET集積回路の研究

著者名

横山, 直樹

著者別名

ヨコヤマ, ナオキ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第3427号

学位授与年月日

1984-07-18

注記・抄録

博士論文

06569

博士(工学)

1984-07-18

大阪大学

14401第12345号

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000050698
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000050809
  • NDL書誌ID
    • 000000215012
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
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