Epitaxial growth of InGaAsP/InP basis multi-layered heterostructures and their application to optoelectronic devices InGaAsp/InPヘテロ構造のエピタキシャル成長と高速受光デバイスへの応用

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著者

    • 大塚, 健一 オオツカ, ケンイチ

書誌事項

タイトル

Epitaxial growth of InGaAsP/InP basis multi-layered heterostructures and their application to optoelectronic devices

タイトル別名

InGaAsp/InPヘテロ構造のエピタキシャル成長と高速受光デバイスへの応用

著者名

大塚, 健一

著者別名

オオツカ, ケンイチ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第4646号

学位授与年月日

1989-02-28

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000054542
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000054664
  • NDL書誌ID
    • 000000218856
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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