分子線エピタキシー法による化合物半導体の結晶成長とガスドーピングの研究

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著者

    • 後藤, 秀樹 ゴトウ, ヒデキ

書誌事項

タイトル

分子線エピタキシー法による化合物半導体の結晶成長とガスドーピングの研究

著者名

後藤, 秀樹

著者別名

ゴトウ, ヒデキ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第688号

学位授与年月日

1988-10-13

注記・抄録

博士論文

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000056339
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000056479
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000220653
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
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