Electron deep levels in horizontal Bridgman grown gallium arsenide 水平ブリッジマン法によるガリウムヒ素化合物半導体の深い電子準位に関する研究

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Author

    • 閔, 碩基 ミン, ソクキ

Bibliographic Information

Title

Electron deep levels in horizontal Bridgman grown gallium arsenide

Other Title

水平ブリッジマン法によるガリウムヒ素化合物半導体の深い電子準位に関する研究

Author

閔, 碩基

Author(Another name)

ミン, ソクキ

University

大阪大学

Types of degree

工学博士

Grant ID

乙第4751号

Degree year

1989-05-19

Note and Description

博士論文

Table of Contents

  1. 目次 (6コマ目)
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Codes

  • NII Article ID (NAID)
    500000057906
  • NII Author ID (NRID)
    • 8000000058059
  • DOI(NDL)
  • Text Lang
    • und
  • NDLBibID
    • 000000222220
  • Source
    • Institutional Repository
    • NDL ONLINE
    • NDL Digital Collections

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