MBE法によるSi[1-x]Ge[x]/Siヘテロエピタキシャル成長とその格子不整合緩和機構に関する研究

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著者

    • 福田, 幸夫 フクダ, ユキオ

書誌事項

タイトル

MBE法によるSi[1-x]Ge[x]/Siヘテロエピタキシャル成長とその格子不整合緩和機構に関する研究

著者名

福田, 幸夫

著者別名

フクダ, ユキオ

学位授与大学

東北大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第5024号

学位授与年月日

1989-05-10

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000058359
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000058513
  • NDL書誌ID
    • 000000222673
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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