分子線エピタキシー法で成長したGaAsにおける不純物の挙動とその界面構造への影響 ブンシセン エピタキシーホウ デ セイチヨウシタ GAAS ニ オケル フジユンブツ ノ キヨドウ ト ソノ カイメン コウゾウ エノ エイキヨウ

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著者

    • 飯村, 靖文 イイムラ, ヤスフミ

書誌事項

タイトル

分子線エピタキシー法で成長したGaAsにおける不純物の挙動とその界面構造への影響

タイトル別名

ブンシセン エピタキシーホウ デ セイチヨウシタ GAAS ニ オケル フジユンブツ ノ キヨドウ ト ソノ カイメン コウゾウ エノ エイキヨウ

著者名

飯村, 靖文

著者別名

イイムラ, ヤスフミ

学位授与大学

筑波大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

博甲第462号

学位授与年月日

1987-03-25

注記・抄録

博士論文

筑波大学工学博士学位論文・昭和62年3月25日授与 (甲第462号)

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000058956
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000059110
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000223270
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
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