分子線エピタキシー法で成長したGaAsにおける不純物の挙動とその界面構造への影響

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Author

    • 飯村, 靖文 イイムラ, ヤスフミ

Bibliographic Information

Title

分子線エピタキシー法で成長したGaAsにおける不純物の挙動とその界面構造への影響

Author

飯村, 靖文

Author(Another name)

イイムラ, ヤスフミ

University

筑波大学

Types of degree

工学博士

Grant ID

博甲第462号

Degree year

1987-03-25

Note and Description

博士論文

1986

【要旨】

Table of Contents

  1. 目次 (5コマ目)
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Codes

  • NII Article ID (NAID)
    500000058956
  • NII Author ID (NRID)
    • 8000000059110
  • DOI(NDL)
  • Text Lang
    • jpn
  • NDLBibID
    • 000000223270
  • Source
    • Institutional Repository
    • NDL ONLINE
    • NDL Digital Collections

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