Fundamental study of low-temperature epitaxy of Si and SiGe by photo-assisted chemical vapor deposition 光励起CVD法によるSi,SiGe薄膜の低温エピタキシャル成長法に関する基礎研究

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著者

    • 山田, 明 ヤマダ, アキラ

書誌事項

タイトル

Fundamental study of low-temperature epitaxy of Si and SiGe by photo-assisted chemical vapor deposition

タイトル別名

光励起CVD法によるSi,SiGe薄膜の低温エピタキシャル成長法に関する基礎研究

著者名

山田, 明

著者別名

ヤマダ, アキラ

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第2044号

学位授与年月日

1989-03-26

注記・抄録

博士論文

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000060164
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000060321
  • NDL書誌ID
    • 000000224478
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
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