Fundamental study of low-temperature epitaxy of Si and SiGe by photo-assisted chemical vapor deposition 光励起CVD法によるSi,SiGe薄膜の低温エピタキシャル成長法に関する基礎研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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Fundamental study of low-temperature epitaxy of Si and SiGe by photo-assisted chemical vapor deposition
- タイトル別名
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光励起CVD法によるSi,SiGe薄膜の低温エピタキシャル成長法に関する基礎研究
- 著者名
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山田, 明
- 著者別名
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ヤマダ, アキラ
- 学位授与大学
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東京工業大学
- 取得学位
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工学博士
- 学位授与番号
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甲第2044号
- 学位授与年月日
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1989-03-26
注記・抄録
博士論文
identifier:oai:t2r2.star.titech.ac.jp:99000270
目次
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