イオン打込みとアニーリングプロセスにより作成した高濃度ドープSi薄層及び細線の電子局在の研究

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Author

    • 伊藤, 和男 イトウ, カズオ

Bibliographic Information

Title

イオン打込みとアニーリングプロセスにより作成した高濃度ドープSi薄層及び細線の電子局在の研究

Author

伊藤, 和男

Author(Another name)

イトウ, カズオ

University

東京大学

Types of degree

理学博士

Grant ID

乙第9159号

Degree year

1989-02-27

Note and Description

博士論文

Table of Contents

  1. 目次 (10コマ目)
0access

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    500000062058
  • NII Author ID (NRID)
    • 8000000062223
  • DOI(NDL)
  • NDLBibID
    • 000000226372
  • Source
    • NDL ONLINE
    • NDL Digital Collections

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