中性子核変換ドーピングシリコンの照射損傷の電気的特性に関する研究

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著者

    • 前川, 隆雄 マエカワ, タカオ

書誌事項

タイトル

中性子核変換ドーピングシリコンの照射損傷の電気的特性に関する研究

著者名

前川, 隆雄

著者別名

マエカワ, タカオ

学位授与大学

東京大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第9237号

学位授与年月日

1989-03-17

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000062136
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000062301
  • NDL書誌ID
    • 000000226450
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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