液相成長法によるInGaAsP/GaAs半導体レーザに関する研究

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著者

    • 石川, 丈二 イシカワ, ジョウジ

書誌事項

タイトル

液相成長法によるInGaAsP/GaAs半導体レーザに関する研究

著者名

石川, 丈二

著者別名

イシカワ, ジョウジ

学位授与大学

慶應義塾大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第936号

学位授与年月日

1989-03-31

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000062241
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000062407
  • NDL書誌ID
    • 000000226555
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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