有機金属分子線エピタキシーによるワイドギャップⅡ-Ⅵ族化合物半導体歪超格子の作製に関する研究

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著者

    • 鬼山, 英幸 オニヤマ, ヒデユキ

書誌事項

タイトル

有機金属分子線エピタキシーによるワイドギャップⅡ-Ⅵ族化合物半導体歪超格子の作製に関する研究

著者名

鬼山, 英幸

著者別名

オニヤマ, ヒデユキ

学位授与大学

千葉大学

取得学位

学術博士

学位授与番号

甲第781号

学位授与年月日

1990-03-26

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000063930
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000064100
  • NDL書誌ID
    • 000000228244
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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