プラズマプロセスによる(In,Ga)As系半導体の成長と評価

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著者

    • 方, 隼飛 ホウ, シュンヒ

書誌事項

タイトル

プラズマプロセスによる(In,Ga)As系半導体の成長と評価

著者名

方, 隼飛

著者別名

ホウ, シュンヒ

学位授与大学

東北大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第4220号

学位授与年月日

1990-03-28

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000065831
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000066005
  • NDL書誌ID
    • 000000230145
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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