反応性イオンビーム堆積によるSi系結晶薄膜の低温成長

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著者

    • 山田, 宏 ヤマダ, ヒロシ

書誌事項

タイトル

反応性イオンビーム堆積によるSi系結晶薄膜の低温成長

著者名

山田, 宏

著者別名

ヤマダ, ヒロシ

学位授与大学

東北大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第5272号

学位授与年月日

1990-03-14

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000066008
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000066182
  • NDL書誌ID
    • 000000230322
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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