Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体へのイオン注入 : Si[+]とSn[+]注入GaAsのキャリヤ活性化機構 Ion implantation to Ⅲ-Ⅴ compound semiconductor : carrier activation of Si and Sn implanted GaAs

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著者

    • 沈, 泰彦 シム, テオン

書誌事項

タイトル

Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体へのイオン注入 : Si[+]とSn[+]注入GaAsのキャリヤ活性化機構

タイトル別名

Ion implantation to Ⅲ-Ⅴ compound semiconductor : carrier activation of Si and Sn implanted GaAs

著者名

沈, 泰彦

著者別名

シム, テオン

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第801号

学位授与年月日

1989-06-22

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000066666
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000066840
  • NDL書誌ID
    • 000000230980
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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