Si基板上GaAsエピタキシャル成長法とその応用に関する研究 esuai kibanjo jieieiesu epitakisharu seichoho to sono oyo ni kansuru kenkyu
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Bibliographic Information
- Title
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Si基板上GaAsエピタキシャル成長法とその応用に関する研究
- Other Title
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esuai kibanjo jieieiesu epitakisharu seichoho to sono oyo ni kansuru kenkyu
- Author
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渡辺, 義夫
- Author(Another name)
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ワタナベ, ヨシオ
- University
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早稲田大学
- Types of degree
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工学博士
- Grant ID
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乙第783号
- Degree year
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1990-03-08
Note and Description
博士論文
制度:新 ; 文部省報告番号:乙783号 ; 学位の種類:工学博士 ; 授与年月日:1990-03-08 ; 早大学位記番号:新1628 ; 理工学図書館請求番号:1394
Table of Contents
- 目次 (4コマ目)
