分子線結晶成長法による半導体ヘテロ構造の材料特性に関する研究

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著者

    • 奥村, 元 オクムラ, ハジメ

書誌事項

タイトル

分子線結晶成長法による半導体ヘテロ構造の材料特性に関する研究

著者名

奥村, 元

著者別名

オクムラ, ハジメ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第5072号

学位授与年月日

1990-06-27

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 (4コマ目)
5アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000068854
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000069038
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • und
  • NDL書誌ID
    • 000000233168
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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