Study of heavily carbon doped GaAs and its application to heterojunction bipolar transistors 高濃度カーボンドープGaAsとそのヘテロ接合バイポーラトランジスタへの応用に関する研究

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著者

    • 斉藤, 幸喜 サイトウ, コウキ

書誌事項

タイトル

Study of heavily carbon doped GaAs and its application to heterojunction bipolar transistors

タイトル別名

高濃度カーボンドープGaAsとそのヘテロ接合バイポーラトランジスタへの応用に関する研究

著者名

斉藤, 幸喜

著者別名

サイトウ, コウキ

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第2166号

学位授与年月日

1990-03-26

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000069523
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000069709
  • NDL書誌ID
    • 000000233837
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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