Study of heavily carbon doped GaAs and its application to heterojunction bipolar transistors 高濃度カーボンドープGaAsとそのヘテロ接合バイポーラトランジスタへの応用に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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Study of heavily carbon doped GaAs and its application to heterojunction bipolar transistors
- タイトル別名
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高濃度カーボンドープGaAsとそのヘテロ接合バイポーラトランジスタへの応用に関する研究
- 著者名
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斉藤, 幸喜
- 著者別名
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サイトウ, コウキ
- 学位授与大学
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東京工業大学
- 取得学位
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工学博士
- 学位授与番号
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甲第2166号
- 学位授与年月日
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1990-03-26
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 (6コマ目)