Investigation on heavily impurity-doped GaAs/AIAs superlattices grown by molecular beam epitaxy MBE法により作製された高濃度ドープGaAs/AIAs超格子膜に関する研究

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著者

    • 小林, 規矩男 コバヤシ, キクオ

書誌事項

タイトル

Investigation on heavily impurity-doped GaAs/AIAs superlattices grown by molecular beam epitaxy

タイトル別名

MBE法により作製された高濃度ドープGaAs/AIAs超格子膜に関する研究

著者名

小林, 規矩男

著者別名

コバヤシ, キクオ

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第1949号

学位授与年月日

1989-06-30

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000069596
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000069782
  • NDL書誌ID
    • 000000233910
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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