極短ゲートMOS電界効果トランジスタ用ゲート酸化膜と超薄膜SOI構造の研究

この論文にアクセスする

この論文をさがす

著者

    • 三木, 浩史 ミキ, ヒロシ

書誌事項

タイトル

極短ゲートMOS電界効果トランジスタ用ゲート酸化膜と超薄膜SOI構造の研究

著者名

三木, 浩史

著者別名

ミキ, ヒロシ

学位授与大学

東京大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第8567号

学位授与年月日

1990-03-29

注記・抄録

博士論文

報告番号: 甲08567 ; 学位授与年月日: 1990-03-29 ; 学位の種別: 課程博士 ; 学位の種類: 工学博士 ; 学位記番号: 博工第2510号 ; 研究科・専攻: 工学系研究科電子工学専攻

1アクセス

キーワード

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000071078
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000071267
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000235392
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
ページトップへ