ガスソース分子線エピタキシャル法による3C-SiCの低温成長に関する研究

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著者

    • 本山, 慎一 モトヤマ, シンイチ

書誌事項

タイトル

ガスソース分子線エピタキシャル法による3C-SiCの低温成長に関する研究

著者名

本山, 慎一

著者別名

モトヤマ, シンイチ

学位授与大学

長岡技術科学大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第6号

学位授与年月日

1990-03-26

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000071357
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000071546
  • NDL書誌ID
    • 000000235671
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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