Si基板上へのヘテロエピタキシーに関する研究

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著者

    • 小濱, 剛孝 コハマ, ヨシタカ

書誌事項

タイトル

Si基板上へのヘテロエピタキシーに関する研究

著者名

小濱, 剛孝

著者別名

コハマ, ヨシタカ

学位授与大学

名古屋工業大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第21号

学位授与年月日

1990-12-06

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 はじめに / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 MBE法とMOCVD法 / p6 (0008.jp2)
  5. 1.3 本論文の構成 / p7 (0008.jp2)
  6. 第1章の参考文献 / p11 (0010.jp2)
  7. 第2章 Si基板上への[化学式]成長 / p13 (0011.jp2)
  8. 2.1 序言 / p13 (0011.jp2)
  9. 2.2 MBE装置の概要 / p16 (0013.jp2)
  10. 2.3 実験方法 / p20 (0015.jp2)
  11. 2.4 結果、考察 / p29 (0019.jp2)
  12. 2.5 結言 / p35 (0022.jp2)
  13. 第2章の参考文献 / p35 (0022.jp2)
  14. 第3章 [化学式]構造におけるミスフィット転位の観察と臨界膜厚 / p37 (0023.jp2)
  15. 3.1 序言 / p37 (0023.jp2)
  16. 3.2 EBIC法によるミスフィット転位の観察 / p39 (0024.jp2)
  17. 3.3 臨界膜厚の組成比依存性 / p52 (0031.jp2)
  18. 3.4 結言 / p58 (0034.jp2)
  19. 第3章の参考文献 / p59 (0034.jp2)
  20. 第4章 [化学式]構造におけるミスフィット転位の導入機構 / p61 (0035.jp2)
  21. 4.1 序言 / p61 (0035.jp2)
  22. 4.2 ミスフィット転位のTEM観察 / p62 (0036.jp2)
  23. 4.3 ミスフィット転位の導入機構 / p69 (0039.jp2)
  24. 4.4 ミスフィット転位の増殖機構 / p81 (0045.jp2)
  25. 4.5 結言 / p84 (0047.jp2)
  26. 第4章の参考文献 / p85 (0047.jp2)
  27. 第5章 Si基板上へのGaP成長 / p87 (0048.jp2)
  28. 5.1 序言 / p87 (0048.jp2)
  29. 5.2 AsH₃プリフローを用いたGaP/Si成長 / p90 (0050.jp2)
  30. 5.3 AsH₃プリフローによるSi基板上GaP成長の初期過程 / p110 (0060.jp2)
  31. 5.4 結言 / p125 (0067.jp2)
  32. 第5章の参考文献 / p126 (0068.jp2)
  33. 第6章 Si基板上のInP成長 / p129 (0069.jp2)
  34. 6.1 序言 / p129 (0069.jp2)
  35. 6.2 GaAs中間層を用いたSi基板上へのInP成長 / p131 (0070.jp2)
  36. 6.3 低温成長バッファ層を用いたSi基板上へのInP成長 / p150 (0080.jp2)
  37. 6.4 結言 / p163 (0086.jp2)
  38. 第6章の参考文献 / p165 (0087.jp2)
  39. 第7章 結論 / p169 (0089.jp2)
  40. 謝辞 / p175 (0092.jp2)
  41. 本研究に関する発表論文 / p177 (0093.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000072210
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000072403
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000236524
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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