レーザ再結晶化SOI技術とその三次元回路素子への応用の研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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レーザ再結晶化SOI技術とその三次元回路素子への応用の研究
- 著者名
-
須賀原, 和之
- 著者別名
-
スガハラ, カズユキ
- 学位授与大学
-
大阪大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
乙第5224号
- 学位授与年月日
-
1990-12-19
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 序章 / p1 (0005.jp2)
- 1-1 研究の背景 / p1 (0005.jp2)
- 1-2 三次元回路素子 / p2 (0006.jp2)
- 1-3 三次元回路素子のためのSOI技術 / p3 (0007.jp2)
- 1-4 本研究の目的 / p5 (0009.jp2)
- 1-5 本研究の内容 / p5 (0009.jp2)
- 第2章 レーザアニール装置 / p8 (0012.jp2)
- 2-1 序 / p8 (0012.jp2)
- 2-2 装置の基本構成 / p8 (0012.jp2)
- 2-3 レーザアニール装置 / p8 (0012.jp2)
- 2-4 結論 / p12 (0016.jp2)
- 第3章 レーザ再結晶化技術 / p14 (0018.jp2)
- 3-1 序 / p14 (0018.jp2)
- 3-2 初期のレーザ再結晶化法 / p14 (0018.jp2)
- 3-3 結晶成長面方位制御レーザ再結晶化法 / p25 (0029.jp2)
- 3-4 結晶軸回転 / p36 (0040.jp2)
- 3-5 不純物拡散 / p46 (0050.jp2)
- 3-6 積層化におけるシード構造の検討 / p53 (0057.jp2)
- 3-7 結論 / p57 (0061.jp2)
- 第4章 三次元回路素子製造プロセスとデバイス特性 / p61 (0065.jp2)
- 4-1 序 / p61 (0065.jp2)
- 4-2 三次元回路素子製造プロセス / p61 (0065.jp2)
- 4-3 レーザ再結晶化プロセスの下層デバイスに与える影響 / p61 (0065.jp2)
- 4-4 積層構造中のMOSFETの電気特性 / p66 (0070.jp2)
- 4-5 結論 / p71 (0075.jp2)
- 第5章 三次元回路素子の試作 / p73 (0077.jp2)
- 5-1 序 / p73 (0077.jp2)
- 5-2 2層構造のイメージセンサとSRAM / p75 (0079.jp2)
- 5-3 画像信号処理機能三次元素子 / p82 (0086.jp2)
- 5-4 結論 / p89 (0093.jp2)
- 第6章結言 / p91 (0095.jp2)
- 付録 / p93 (0097.jp2)
- 謝辞 / p95 (0099.jp2)
- 研究業績目録 / p96 (0100.jp2)
