レーザ再結晶化SOI技術とその三次元回路素子への応用の研究

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著者

    • 須賀原, 和之 スガハラ, カズユキ

書誌事項

タイトル

レーザ再結晶化SOI技術とその三次元回路素子への応用の研究

著者名

須賀原, 和之

著者別名

スガハラ, カズユキ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第5224号

学位授与年月日

1990-12-19

注記・抄録

博士論文

09444

博士(工学)

1990-12-19

大阪大学

14401乙第05224号

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序章 / p1 (0005.jp2)
  3. 1-1 研究の背景 / p1 (0005.jp2)
  4. 1-2 三次元回路素子 / p2 (0006.jp2)
  5. 1-3 三次元回路素子のためのSOI技術 / p3 (0007.jp2)
  6. 1-4 本研究の目的 / p5 (0009.jp2)
  7. 1-5 本研究の内容 / p5 (0009.jp2)
  8. 第2章 レーザアニール装置 / p8 (0012.jp2)
  9. 2-1 序 / p8 (0012.jp2)
  10. 2-2 装置の基本構成 / p8 (0012.jp2)
  11. 2-3 レーザアニール装置 / p8 (0012.jp2)
  12. 2-4 結論 / p12 (0016.jp2)
  13. 第3章 レーザ再結晶化技術 / p14 (0018.jp2)
  14. 3-1 序 / p14 (0018.jp2)
  15. 3-2 初期のレーザ再結晶化法 / p14 (0018.jp2)
  16. 3-3 結晶成長面方位制御レーザ再結晶化法 / p25 (0029.jp2)
  17. 3-4 結晶軸回転 / p36 (0040.jp2)
  18. 3-5 不純物拡散 / p46 (0050.jp2)
  19. 3-6 積層化におけるシード構造の検討 / p53 (0057.jp2)
  20. 3-7 結論 / p57 (0061.jp2)
  21. 第4章 三次元回路素子製造プロセスとデバイス特性 / p61 (0065.jp2)
  22. 4-1 序 / p61 (0065.jp2)
  23. 4-2 三次元回路素子製造プロセス / p61 (0065.jp2)
  24. 4-3 レーザ再結晶化プロセスの下層デバイスに与える影響 / p61 (0065.jp2)
  25. 4-4 積層構造中のMOSFETの電気特性 / p66 (0070.jp2)
  26. 4-5 結論 / p71 (0075.jp2)
  27. 第5章 三次元回路素子の試作 / p73 (0077.jp2)
  28. 5-1 序 / p73 (0077.jp2)
  29. 5-2 2層構造のイメージセンサとSRAM / p75 (0079.jp2)
  30. 5-3 画像信号処理機能三次元素子 / p82 (0086.jp2)
  31. 5-4 結論 / p89 (0093.jp2)
  32. 第6章結言 / p91 (0095.jp2)
  33. 付録 / p93 (0097.jp2)
  34. 謝辞 / p95 (0099.jp2)
  35. 研究業績目録 / p96 (0100.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000072678
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000072873
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000236992
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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