イオン打込み方式磁気バブルメモリ素子の高密度化に関する研究

この論文をさがす

著者

    • 佐藤, 敏浩 サトウ, トシヒロ

書誌事項

タイトル

イオン打込み方式磁気バブルメモリ素子の高密度化に関する研究

著者名

佐藤, 敏浩

著者別名

サトウ, トシヒロ

学位授与大学

横浜国立大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第22号

学位授与年月日

1990-12-31

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 まえがき / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 磁気バブルの基本的性質 / p3 (0006.jp2)
  5. 1.3 パーマロイ転送方式とその限界 / p8 (0009.jp2)
  6. 1.4 イオン打込み転送方式 / p12 (0011.jp2)
  7. 1.5 イオン打込み素子の構成 / p24 (0017.jp2)
  8. 1.6 本論文の内容 / p28 (0019.jp2)
  9. 参考文献 / p30 (0020.jp2)
  10. 第2章 高密度イオン打込み転送路の動作 / p32 (0021.jp2)
  11. 2.1 まえがき / p32 (0021.jp2)
  12. 2.2 実験方法 / p34 (0022.jp2)
  13. 2.3 歪プロファイルの検討 / p42 (0026.jp2)
  14. 2.4 イオン打込み転送路のセルサイズ縮小化の検討 / p53 (0031.jp2)
  15. 2.5 まとめ / p69 (0039.jp2)
  16. 参考文献 / p70 (0040.jp2)
  17. 第3章 イオン打込み・パーマロイ複合素子 / p71 (0040.jp2)
  18. 3.1 まえがき / p71 (0040.jp2)
  19. 3.2 複合素子の設計 / p72 (0041.jp2)
  20. 3.3 接続部の動作特性と改良 / p78 (0044.jp2)
  21. 3.4 0.5μmバブル用接続部の検討 / p92 (0051.jp2)
  22. 3.5 まとめ / p102 (0056.jp2)
  23. 参考文献 / p104 (0057.jp2)
  24. 第4章 全イオン打込み素子用デュアルゲート / p106 (0058.jp2)
  25. 4.1 まえがき / p106 (0058.jp2)
  26. 4.2 デュアルゲートの機能 / p107 (0058.jp2)
  27. 4.3 デュアルゲートの基礎検討 / p113 (0061.jp2)
  28. 4.4 デュアルゲートの積層構造の検討 / p119 (0064.jp2)
  29. 4.5 デュアルゲートの動作特性改善 / p131 (0070.jp2)
  30. 4.6 まとめ / p151 (0080.jp2)
  31. 参考文献 / p153 (0081.jp2)
  32. 第5章 全イオン打込み素子の総合動作 / p155 (0082.jp2)
  33. 5.1 まえがき / p155 (0082.jp2)
  34. 5.2 全イオン打込み素子の設計 / p155 (0082.jp2)
  35. 5.3 全イオン打込み素子の総合動作特性 / p174 (0092.jp2)
  36. 5.4 まとめ / p179 (0094.jp2)
  37. 参考文献 / p181 (0095.jp2)
  38. 第6章 結論 / p182 (0096.jp2)
  39. 謝辞 / p189 (0099.jp2)
  40. 研究業績 / p190 (0100.jp2)
1アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000073175
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000073371
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000237489
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
ページトップへ