Pulsed XeCl excimer laser annealing of silicon film XeClエキシマレーザを用いたシリコン膜のアニーリングの研究

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著者

    • 鮫島, 俊之 サメシマ, トシユキ

書誌事項

タイトル

Pulsed XeCl excimer laser annealing of silicon film

タイトル別名

XeClエキシマレーザを用いたシリコン膜のアニーリングの研究

著者名

鮫島, 俊之

著者別名

サメシマ, トシユキ

学位授与大学

静岡大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第34号

学位授与年月日

1991-02-21

注記・抄録

博士論文

目次

  1. TABLE OF CONTENTS / p1 (0003.jp2)
  2. CHAPTER1 INTRODUCTION / (0005.jp2)
  3. 1.1 Motivation of This Work / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 Organization / p5 (0007.jp2)
  5. CHAPTER2 PULSED EXCIMER LASER ANNEALING OF a-Si:H / (0008.jp2)
  6. 2.1 Introduction / p6 (0008.jp2)
  7. 2.2 Laser-Induced Crystallization / p7 (0008.jp2)
  8. 2.3 Laser-Induced Amorphization / p21 (0015.jp2)
  9. 2.4 Heating Properties of Glass Substrate During and after Laser-Induced Crystallization of a-Si:H / p41 (0025.jp2)
  10. 2.5 Summary / p49 (0029.jp2)
  11. CHAPTER3 LASER DOPING / (0030.jp2)
  12. 3.1 Introduction / p51 (0030.jp2)
  13. 3.2 Laser Doping of Crystalline Silicon / p52 (0031.jp2)
  14. 3.3 Laser Doping of Polycrystalline Silicon Film and Laser-Induced Activation of Doped Silicon Film / p83 (0046.jp2)
  15. 3.4 Control of Dopant Concentration / p94 (0052.jp2)
  16. 3.5 Summary / p97 (0053.jp2)
  17. CHAPTER4 FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF POLY-Si TFTs / (0054.jp2)
  18. 4.1 Introduction / p99 (0054.jp2)
  19. 4.2 Fabrication and Cahracterization of Poly-Si TFTs / p100 (0055.jp2)
  20. 4.3 Application of Poly-Si TFTs to Active MatriX Arrays for Liquid Crystal Displays / p115 (0062.jp2)
  21. 4.4 Summary / p118 (0064.jp2)
  22. CHAPTER5 CONCLUSIONS / (0064.jp2)
  23. 5.1 Conclusions / p119 (0064.jp2)
  24. 5.2 Suggestions for Future Work / p122 (0066.jp2)
  25. REFERENCES / p124 (0067.jp2)
  26. LIST OF PUBLISHED PAPERS / p130 (0070.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000073337
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000073533
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000237651
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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