Studies on high density nonvolatile semiconductor memory devices 高密度不揮発性半導体メモリデバイスに関する研究

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著者

    • 野澤, 博 ノザワ, ヒロシ

書誌事項

タイトル

Studies on high density nonvolatile semiconductor memory devices

タイトル別名

高密度不揮発性半導体メモリデバイスに関する研究

著者名

野澤, 博

著者別名

ノザワ, ヒロシ

学位授与大学

京都大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第7466号

学位授与年月日

1991-03-23

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0001.jp2)
  2. Table of contents / (0004.jp2)
  3. Introduction / p1 (0006.jp2)
  4. §1.Development of Nonvolatile Memory Device / p7 (0009.jp2)
  5. 1.1 Introduction / p7 (0009.jp2)
  6. 1.2 Concept / p8 (0010.jp2)
  7. 1.3 Device Structure and Modelings / p10 (0011.jp2)
  8. 1.4 Process Technology / p16 (0014.jp2)
  9. 1.5 Application / p21 (0016.jp2)
  10. §2.Current Understanding of the Nonvolatile Memory Operation / p25 (0018.jp2)
  11. 2.1 Introduction / p25 (0018.jp2)
  12. 2.2 P-channel SAMOS / p25 (0018.jp2)
  13. 2.3 N-channel SAMOS / p30 (0021.jp2)
  14. 2.4 EEPROM / p34 (0023.jp2)
  15. 2.5 U.V.Erase / p37 (0024.jp2)
  16. 2.6 Memory Array / p39 (0025.jp2)
  17. 2.7 Conclusion / p41 (0026.jp2)
  18. §3.A Thermionic Electron Emission Model for Charge Retention in SAMOS Structures / p43 (0027.jp2)
  19. 3.1 Introduction / p43 (0027.jp2)
  20. 3.2 Modeling / p44 (0028.jp2)
  21. 3.3 Experimental Results / p44 (0028.jp2)
  22. 3.4 Conclusions / p49 (0030.jp2)
  23. Appendix / p51 (0031.jp2)
  24. §4.Selective Polysilicon Oxidation Technology for VLSI Isolation / p53 (0032.jp2)
  25. 4.1 Introduction / p53 (0032.jp2)
  26. 4.2 SelectiveOxidation Technology / p55 (0033.jp2)
  27. 4.3 Experiments / p58 (0035.jp2)
  28. 4.4 Experimental Results / p60 (0036.jp2)
  29. 4.5 Discussion / p65 (0038.jp2)
  30. 4.6 Conclusion / p69 (0040.jp2)
  31. §5.Characteristics and Reliability of the SEPROM Cell / p71 (0041.jp2)
  32. 5.1 Introduction / p71 (0041.jp2)
  33. 5.2 SEPROM Process / p73 (0042.jp2)
  34. 5.3 Experimental Results and Analysis / p75 (0043.jp2)
  35. 5.4 Discussions / p87 (0049.jp2)
  36. 5.5 Conclusion / p90 (0051.jp2)
  37. §6.An EEPROM Cell Using a Low Barrier Height Tunnel Oxide / p93 (0052.jp2)
  38. 6.1 Introduction / p93 (0052.jp2)
  39. 6.2 Sample Preparation and Measurement / p94 (0053.jp2)
  40. 6.3 Experimental Results / p98 (0055.jp2)
  41. 6.4 Discussion / p107 (0059.jp2)
  42. 6.5 Conclusion / p110 (0061.jp2)
  43. §7.Summary / p113 (0062.jp2)
  44. References / p121 (0066.jp2)
  45. List of Figures / p131 (0071.jp2)
  46. Publications / p137 (0074.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000073960
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000074157
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000238274
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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