イオン注入GaAsの活性化熱処理に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
イオン注入GaAsの活性化熱処理に関する研究
- 著者名
-
葛原, 正明
- 著者別名
-
クズハラ, マサアキ
- 学位授与大学
-
京都大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
乙第7481号
- 学位授与年月日
-
1991-03-23
注記・抄録
博士論文
本文データは平成22年度国立国会図書館の学位論文(博士)のデジタル化実施により作成された画像ファイルを基にpdf変換したものである
目次
- 論文目録 / (0001.jp2)
- 目次 / p3 (0005.jp2)
- 内容梗概 / p1 (0004.jp2)
- 謝辞 / p2 (0005.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
- 1-1 本研究の歴史的背景 / p1 (0006.jp2)
- 1-2 本研究の目的と意義 / p3 (0007.jp2)
- 1-3 本論文の内容 / p4 (0008.jp2)
- 参考文献 / p7 (0009.jp2)
- 第2章 イオン注入GaAsの活性化熱処理法 / p8 (0010.jp2)
- 2-1 序 / p8 (0010.jp2)
- 2-2 熱処理法の分類 / p8 (0010.jp2)
- 2-3 熱処理保護膜 / p11 (0011.jp2)
- 2-4 まとめ / p14 (0013.jp2)
- 参考文献 / p15 (0013.jp2)
- 第3章 熱処理保護膜の形成と評価 / p17 (0014.jp2)
- 3-1 序 / p17 (0014.jp2)
- 3-2 膜形成装置と膜形成手順 / p17 (0014.jp2)
- 3-3 [化学式]膜の評価 / p19 (0015.jp2)
- 3-4 まとめ / p29 (0020.jp2)
- 参考文献 / p30 (0021.jp2)
- 第4章 電気炉熱処理によるイオン注入GaAsの活性化 / p31 (0021.jp2)
- 4-1 序 / p31 (0021.jp2)
- 4-2 熱処理保護膜組成と活性化率 / p31 (0021.jp2)
- 4-3 熱処理保護膜膜厚と活性化率 / p38 (0025.jp2)
- 4-4 熱処理温度依存性 / p40 (0026.jp2)
- 4-5 熱処理時間依存性 / p42 (0027.jp2)
- 4-6 高濃度注入層への応用 / p43 (0027.jp2)
- 4-7 まとめ / p45 (0028.jp2)
- 参考文献 / p45 (0028.jp2)
- 第5章 電気炉熱処理GaAsの評価 / p46 (0029.jp2)
- 5-1 序 / p46 (0029.jp2)
- 5-2 オージェ電子分光分析による評価 / p46 (0029.jp2)
- 5-3 二次イオン質量分析による評価 / p49 (0030.jp2)
- 5-4 DLTSによる深い準位の評価 / p51 (0031.jp2)
- 5-5 まとめ / p62 (0037.jp2)
- 参考文献 / p63 (0037.jp2)
- 第6章 短時間熱処理によるn型GaAs動作層の形成 / p64 (0038.jp2)
- 6-1 序 / p64 (0038.jp2)
- 6-2 短時間熱処理装置 / p64 (0038.jp2)
- 6-3 短時間保護膜無し熱処理の可能性 / p66 (0039.jp2)
- 6-4 Siイオン注入GaAsの短時間熱処理 / p67 (0039.jp2)
- 6-5 GaAs MESFETの作製 / p76 (0044.jp2)
- 6-6 まとめ / p79 (0045.jp2)
- 参考文献 / p80 (0046.jp2)
- 第7章 短時間熱処理GaAsの評価 / p81 (0046.jp2)
- 7-1 序 / p81 (0046.jp2)
- 7-2 DLTSによる深い準位の評価 / p81 (0046.jp2)
- 7-3 まとめ / p93 (0052.jp2)
- 参考文献 / p94 (0053.jp2)
- 第8章 短時間熱処理による高濃度n型GaAs層の形成と評価 / p95 (0053.jp2)
- 8-1 序 / p95 (0053.jp2)
- 8-2 Siイオン注入GaAsの短時間保護膜無し熱処理 / p95 (0053.jp2)
- 8-3 Sイオン注入GaAsの短時間保護膜無し熱処理 / p98 (0055.jp2)
- 8-4 Siイオン注入GaAsの短時間保護膜付き熱処理 / p103 (0057.jp2)
- 8-5 Snイオン注入GaAsの短時間保護膜付き熱処理 / p107 (0059.jp2)
- 8-6 n型ノンアロイ抵抗性接触の形成 / p111 (0061.jp2)
- 8-7 まとめ / p116 (0064.jp2)
- 参考文献 / p117 (0064.jp2)
- 第9章 結論 / p118 (0065.jp2)
- 業績目録 / p123 (0067.jp2)