イオン注入GaAsの活性化熱処理に関する研究

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著者

    • 葛原, 正明 クズハラ, マサアキ

書誌事項

タイトル

イオン注入GaAsの活性化熱処理に関する研究

著者名

葛原, 正明

著者別名

クズハラ, マサアキ

学位授与大学

京都大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第7481号

学位授与年月日

1991-03-23

注記・抄録

博士論文

本文データは平成22年度国立国会図書館の学位論文(博士)のデジタル化実施により作成された画像ファイルを基にpdf変換したものである

新制・論文博士

乙第7481号

論工博第2456号

目次

  1. 論文目録 / (0001.jp2)
  2. 目次 / p3 (0005.jp2)
  3. 内容梗概 / p1 (0004.jp2)
  4. 謝辞 / p2 (0005.jp2)
  5. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  6. 1-1 本研究の歴史的背景 / p1 (0006.jp2)
  7. 1-2 本研究の目的と意義 / p3 (0007.jp2)
  8. 1-3 本論文の内容 / p4 (0008.jp2)
  9. 参考文献 / p7 (0009.jp2)
  10. 第2章 イオン注入GaAsの活性化熱処理法 / p8 (0010.jp2)
  11. 2-1 序 / p8 (0010.jp2)
  12. 2-2 熱処理法の分類 / p8 (0010.jp2)
  13. 2-3 熱処理保護膜 / p11 (0011.jp2)
  14. 2-4 まとめ / p14 (0013.jp2)
  15. 参考文献 / p15 (0013.jp2)
  16. 第3章 熱処理保護膜の形成と評価 / p17 (0014.jp2)
  17. 3-1 序 / p17 (0014.jp2)
  18. 3-2 膜形成装置と膜形成手順 / p17 (0014.jp2)
  19. 3-3 [化学式]膜の評価 / p19 (0015.jp2)
  20. 3-4 まとめ / p29 (0020.jp2)
  21. 参考文献 / p30 (0021.jp2)
  22. 第4章 電気炉熱処理によるイオン注入GaAsの活性化 / p31 (0021.jp2)
  23. 4-1 序 / p31 (0021.jp2)
  24. 4-2 熱処理保護膜組成と活性化率 / p31 (0021.jp2)
  25. 4-3 熱処理保護膜膜厚と活性化率 / p38 (0025.jp2)
  26. 4-4 熱処理温度依存性 / p40 (0026.jp2)
  27. 4-5 熱処理時間依存性 / p42 (0027.jp2)
  28. 4-6 高濃度注入層への応用 / p43 (0027.jp2)
  29. 4-7 まとめ / p45 (0028.jp2)
  30. 参考文献 / p45 (0028.jp2)
  31. 第5章 電気炉熱処理GaAsの評価 / p46 (0029.jp2)
  32. 5-1 序 / p46 (0029.jp2)
  33. 5-2 オージェ電子分光分析による評価 / p46 (0029.jp2)
  34. 5-3 二次イオン質量分析による評価 / p49 (0030.jp2)
  35. 5-4 DLTSによる深い準位の評価 / p51 (0031.jp2)
  36. 5-5 まとめ / p62 (0037.jp2)
  37. 参考文献 / p63 (0037.jp2)
  38. 第6章 短時間熱処理によるn型GaAs動作層の形成 / p64 (0038.jp2)
  39. 6-1 序 / p64 (0038.jp2)
  40. 6-2 短時間熱処理装置 / p64 (0038.jp2)
  41. 6-3 短時間保護膜無し熱処理の可能性 / p66 (0039.jp2)
  42. 6-4 Siイオン注入GaAsの短時間熱処理 / p67 (0039.jp2)
  43. 6-5 GaAs MESFETの作製 / p76 (0044.jp2)
  44. 6-6 まとめ / p79 (0045.jp2)
  45. 参考文献 / p80 (0046.jp2)
  46. 第7章 短時間熱処理GaAsの評価 / p81 (0046.jp2)
  47. 7-1 序 / p81 (0046.jp2)
  48. 7-2 DLTSによる深い準位の評価 / p81 (0046.jp2)
  49. 7-3 まとめ / p93 (0052.jp2)
  50. 参考文献 / p94 (0053.jp2)
  51. 第8章 短時間熱処理による高濃度n型GaAs層の形成と評価 / p95 (0053.jp2)
  52. 8-1 序 / p95 (0053.jp2)
  53. 8-2 Siイオン注入GaAsの短時間保護膜無し熱処理 / p95 (0053.jp2)
  54. 8-3 Sイオン注入GaAsの短時間保護膜無し熱処理 / p98 (0055.jp2)
  55. 8-4 Siイオン注入GaAsの短時間保護膜付き熱処理 / p103 (0057.jp2)
  56. 8-5 Snイオン注入GaAsの短時間保護膜付き熱処理 / p107 (0059.jp2)
  57. 8-6 n型ノンアロイ抵抗性接触の形成 / p111 (0061.jp2)
  58. 8-7 まとめ / p116 (0064.jp2)
  59. 参考文献 / p117 (0064.jp2)
  60. 第9章 結論 / p118 (0065.jp2)
  61. 業績目録 / p123 (0067.jp2)
3アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000073975
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000074172
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000238289
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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