半導体デバイスの静電気障害に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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半導体デバイスの静電気障害に関する研究
- 著者名
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桶口, 弘志
- 著者別名
-
ヒグチ, ヒロシ
- 学位授与大学
-
姫路工業大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
甲第15号
- 学位授与年月日
-
1991-03-22
注記・抄録
博士論文
目次
- 内容梗概 / p1 (0003.jp2)
- 使用記号一覧 / p3 (0005.jp2)
- 目次 / p1 (0011.jp2)
- 第1章 序論 / p5 (0015.jp2)
- 1.1 緒言 / p5 (0015.jp2)
- 1.2 静電気障害の環境要因 / p5 (0015.jp2)
- 1.3 従来の研究の概要 / p6 (0016.jp2)
- 1.4 本論文の目的 / p12 (0022.jp2)
- 第2章 半導体デバイスの静電耐量試験 / p13 (0023.jp2)
- 2.1 緒言 / p13 (0023.jp2)
- 2.2 コンデンサーの直接放電による静電耐量試験 / p13 (0023.jp2)
- 2.3 パッケージ帯電の間接放電による静電耐量試験 / p20 (0030.jp2)
- 2.4 結言 / p23 (0033.jp2)
- 第3章 エポキシ樹脂封止内に分布した空間電荷の影響 ―エポキシ樹脂封止の電気伝導と封止内に分布した空間電荷の測定― / p27 (0037.jp2)
- 3.1 緒言 / p27 (0037.jp2)
- 3.2 電気伝導と空間電荷の測定 / p28 (0038.jp2)
- 3.3 電気伝導と空間電荷の影響 / p30 (0040.jp2)
- 3.4 結言 / p38 (0048.jp2)
- 第4章 製造工程上の静電気力による付着浮遊微粒子の影響 ―クリーン･ルーム内の付着浮遊微粒子の汚染― / p41 (0051.jp2)
- 4.1 緒言 / p41 (0051.jp2)
- 4.2 レーザー光線の目視化法による付着浮遊微粒子の測定 / p41 (0051.jp2)
- 4.3 浮遊微粒子の影響 / p43 (0053.jp2)
- 4.4 結言 / p52 (0062.jp2)
- 第5章 静電気放電の伝搬特性の解析 ―実験とコンピュータ･シミュレションによる伝搬特性― / p57 (0067.jp2)
- 5.1 緒言 / p57 (0067.jp2)
- 5.2 伝搬特性の測定とコンピュータ･シミュレーション / p59 (0069.jp2)
- 5.3 実験結果および考察 / p61 (0071.jp2)
- 5.4 結言 / p70 (0080.jp2)
- 第6章 静電気放電の統計的な取扱 ―Middletonの超過確率密度関数の拡張― / p73 (0083.jp2)
- 6.1 緒言 / p73 (0083.jp2)
- 6.2 Middletonの超過確率密度関数の理論 / p73 (0083.jp2)
- 6.3 電力線のインパルス性雑音の測定 / p78 (0088.jp2)
- 6.4 実験結果および考察 / p80 (0090.jp2)
- 6.5 結言 / p86 (0096.jp2)
- 第7章 結論 / p90 (0100.jp2)
- 付録 / p93 (0103.jp2)
- 謝辞 / p94 (0104.jp2)
- 参考文献 / p95 (0105.jp2)