エピタキシャルAl[2]O[3]薄膜を用いたSOI構造形成に関する研究

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著者

    • 澤田, 和明 サワダ, カズアキ

書誌事項

タイトル

エピタキシャルAl[2]O[3]薄膜を用いたSOI構造形成に関する研究

著者名

澤田, 和明

著者別名

サワダ, カズアキ

学位授与大学

豊橋技術科学大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第42号

学位授与年月日

1991-03-22

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文要旨 / (0003.jp2)
  2. 目次 / (0007.jp2)
  3. 第1章 緒論 / p1 (0011.jp2)
  4. 1.1 SOI 構造の特徴とその応用 / p1 (0011.jp2)
  5. 1.2 SOI 構造形成技術 / p6 (0016.jp2)
  6. 1.3 エピタキシャル成長法によるSOI構造 / p8 (0018.jp2)
  7. 1.4 本研究の目的 / p12 (0022.jp2)
  8. 参考文献 / p14 (0024.jp2)
  9. 第2章 ガスソースMBE成長法によるAl₂O₃膜の成長 / p15 (0025.jp2)
  10. 2.1 緒言 / p15 (0025.jp2)
  11. 2.2 成長方法及び成長条件 / p16 (0026.jp2)
  12. 2.3 γ-A1₂O₃薄膜のガスソースMBE成長 / p23 (0033.jp2)
  13. 2.4 γ-A1₂O₃の2段階成長 / p36 (0046.jp2)
  14. 2.5 O₂分子線を用いた成長 / p41 (0051.jp2)
  15. 2.6 結言 / p43 (0053.jp2)
  16. 参考文献 / p44 (0054.jp2)
  17. 第3章 紫外光励起ガスソースMBE成長 / p45 (0055.jp2)
  18. 3.1 緒言 / p45 (0055.jp2)
  19. 3.2 成長方法及び成長条件 / p46 (0056.jp2)
  20. 3.3 実験結果及び検討 / p54 (0064.jp2)
  21. 3.4 結言 / p66 (0076.jp2)
  22. 参考文献 / p67 (0077.jp2)
  23. 第4章 ジシランガスソースを用いたSOSのMBE成長 / p68 (0078.jp2)
  24. 4.1 緒言 / p68 (0078.jp2)
  25. 4.2 成長方法及び実験条件 / p75 (0085.jp2)
  26. 4.4 結言 / p103 (0111.jp2)
  27. 参考文献 / p104 (0112.jp2)
  28. 第5章 電子ビーム照射によるSOS選択成長 / p107 (0115.jp2)
  29. 5.1 緒言 / p107 (0115.jp2)
  30. 5.2 成長方法及び実験条件 / p109 (0117.jp2)
  31. 5.3 実験結果及び検討 / p112 (0120.jp2)
  32. 5.4 結言 / p130 (0138.jp2)
  33. 参考文献 / p131 (0139.jp2)
  34. 第6章 Si/A1₂O₃/Si積層SOI構造 / p132 (0140.jp2)
  35. 6.1 緒言 / p132 (0140.jp2)
  36. 6.2 成長方法及び成長条件 / p134 (0142.jp2)
  37. 6.3 実験結果及び検討 / p137 (0145.jp2)
  38. 6.4 結言 / p148 (0156.jp2)
  39. 参考文献 / p149 (0157.jp2)
  40. 第7章 結論 / p150 (0158.jp2)
  41. 謝辞 / p155 (0163.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000075304
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000075503
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000239618
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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