エピタキシャルAl[2]O[3]薄膜を用いたSOI構造形成に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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エピタキシャルAl[2]O[3]薄膜を用いたSOI構造形成に関する研究
- 著者名
-
澤田, 和明
- 著者別名
-
サワダ, カズアキ
- 学位授与大学
-
豊橋技術科学大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
甲第42号
- 学位授与年月日
-
1991-03-22
注記・抄録
博士論文
目次
- 論文要旨 / (0003.jp2)
- 目次 / (0007.jp2)
- 第1章 緒論 / p1 (0011.jp2)
- 1.1 SOI 構造の特徴とその応用 / p1 (0011.jp2)
- 1.2 SOI 構造形成技術 / p6 (0016.jp2)
- 1.3 エピタキシャル成長法によるSOI構造 / p8 (0018.jp2)
- 1.4 本研究の目的 / p12 (0022.jp2)
- 参考文献 / p14 (0024.jp2)
- 第2章 ガスソースMBE成長法によるAl₂O₃膜の成長 / p15 (0025.jp2)
- 2.1 緒言 / p15 (0025.jp2)
- 2.2 成長方法及び成長条件 / p16 (0026.jp2)
- 2.3 γ-A1₂O₃薄膜のガスソースMBE成長 / p23 (0033.jp2)
- 2.4 γ-A1₂O₃の2段階成長 / p36 (0046.jp2)
- 2.5 O₂分子線を用いた成長 / p41 (0051.jp2)
- 2.6 結言 / p43 (0053.jp2)
- 参考文献 / p44 (0054.jp2)
- 第3章 紫外光励起ガスソースMBE成長 / p45 (0055.jp2)
- 3.1 緒言 / p45 (0055.jp2)
- 3.2 成長方法及び成長条件 / p46 (0056.jp2)
- 3.3 実験結果及び検討 / p54 (0064.jp2)
- 3.4 結言 / p66 (0076.jp2)
- 参考文献 / p67 (0077.jp2)
- 第4章 ジシランガスソースを用いたSOSのMBE成長 / p68 (0078.jp2)
- 4.1 緒言 / p68 (0078.jp2)
- 4.2 成長方法及び実験条件 / p75 (0085.jp2)
- 4.4 結言 / p103 (0111.jp2)
- 参考文献 / p104 (0112.jp2)
- 第5章 電子ビーム照射によるSOS選択成長 / p107 (0115.jp2)
- 5.1 緒言 / p107 (0115.jp2)
- 5.2 成長方法及び実験条件 / p109 (0117.jp2)
- 5.3 実験結果及び検討 / p112 (0120.jp2)
- 5.4 結言 / p130 (0138.jp2)
- 参考文献 / p131 (0139.jp2)
- 第6章 Si/A1₂O₃/Si積層SOI構造 / p132 (0140.jp2)
- 6.1 緒言 / p132 (0140.jp2)
- 6.2 成長方法及び成長条件 / p134 (0142.jp2)
- 6.3 実験結果及び検討 / p137 (0145.jp2)
- 6.4 結言 / p148 (0156.jp2)
- 参考文献 / p149 (0157.jp2)
- 第7章 結論 / p150 (0158.jp2)
- 謝辞 / p155 (0163.jp2)