高品質アモルファスシリコン薄膜の作製プロセスと膜質評価に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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高品質アモルファスシリコン薄膜の作製プロセスと膜質評価に関する研究
- 著者名
-
本橋, 光也
- 著者別名
-
モトハシ, ミツヤ
- 学位授与大学
-
東京電機大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
甲第12号
- 学位授与年月日
-
1991-03-19
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0010.jp2)
- 1-1 歴史的背景 / p1 (0010.jp2)
- 1-2 本研究の目的 / p4 (0013.jp2)
- 1-3 本論文の構成 / p5 (0014.jp2)
- 参考文献 / p8 (0017.jp2)
- 第2章 プラズマ制御電極を用いたa-Si:H膜の作製プロセス / p10 (0019.jp2)
- 2-1 まえがき / p11 (0020.jp2)
- 2-2 a-Si:H膜作製装置の反応室構造と膜作製条件 / p15 (0024.jp2)
- 2-3 プラズマ制御電極が膜の電気的･光学的特性に及ぼす影響 / p15 (0024.jp2)
- 2-4 まとめ / p21 (0030.jp2)
- 参考文献 / p22 (0031.jp2)
- 第3章 a-Si:H膜特性に及ぼす直流バイアス電圧効果 / p23 (0032.jp2)
- 3-1 まえがき / p24 (0033.jp2)
- 3-2 バイアス電圧作用下でのa-Si:H膜の作製 / p24 (0033.jp2)
- 3-3 バイアス電圧によるプラズマ制御特性 / p24 (0033.jp2)
- 3-4 a-Si:H膜の電気的･光学的特性に及ぼすバイアス電圧効果 / p28 (0037.jp2)
- 3-5 まとめ / p36 (0045.jp2)
- 参考文献 / p39 (0048.jp2)
- 第4章 水素放出特性によるa-Si:H膜の評価法 / p40 (0049.jp2)
- 4-1 まえがき / p41 (0050.jp2)
- 4-2 水素放出特性の測定系 / p41 (0050.jp2)
- 4-3 水素放出特性による膜の微結晶化温度の評価 / p46 (0055.jp2)
- 4-4 微結晶化温度からの膜構造評価 / p51 (0060.jp2)
- 4-5 まとめ / p56 (0065.jp2)
- 参考文献 / p58 (0067.jp2)
- 第5章 a-Si:H膜と基板の界面構造および膜構造不均質性の評価 / p59 (0068.jp2)
- 5-1 まえがき / p60 (0069.jp2)
- 5-2 基板が界面に及ぼす影響 / p60 (0069.jp2)
- 5-3 界面の元素分析および水素の結合状態の評価 / p78 (0087.jp2)
- 5-4 a-Si:H膜と基板の界面における水素の蓄積 / p91 (0100.jp2)
- 5-5 膜内部の構造不均質性の評価 / p95 (0104.jp2)
- 5-6 まとめ / p100 (0109.jp2)
- 参考文献 / p102 (0111.jp2)
- 第6章 高品質a-Si:H膜の作製プロセス / p103 (0112.jp2)
- 6-1 まえがき / p104 (0113.jp2)
- 6-2 プラズマ制御電極とバイアス電圧が膜構造に及ぼす影響 / p104 (0113.jp2)
- 6-3 高品質a-Si:H膜構造とその作製プロセス / p110 (0119.jp2)
- 6-4 まとめ / p113 (0122.jp2)
- 参考文献 / p115 (0124.jp2)
- 第7章 結論 / p116 (0125.jp2)
- 今後の課題と展望 / p118 (0127.jp2)
- 謝辞 / p119 (0128.jp2)