薄膜トランジスタの膜質と界面状態の改善に関する研究

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著者

    • 平中, 弘一 ヒラナカ, コウイチ

書誌事項

タイトル

薄膜トランジスタの膜質と界面状態の改善に関する研究

著者名

平中, 弘一

著者別名

ヒラナカ, コウイチ

学位授与大学

九州大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第4850号

学位授与年月日

1991-01-24

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1-1.本研究の背景と目的 / p1 (0005.jp2)
  4. 1-2.本論文の構成 / p4 (0008.jp2)
  5. 参考文献 / p11 (0015.jp2)
  6. 第2章 フォトルミネッセンス分光法によるゲート絶縁膜[化学式]/活性層a-Si界面評価 / p14 (0018.jp2)
  7. 2-1.緒言 / p14 (0018.jp2)
  8. 2-2.実験方法 / p15 (0019.jp2)
  9. 2-3.[化学式]膜の膜質 / p24 (0028.jp2)
  10. 2-4.[化学式]/a-Si二層薄膜のフォトルミネッセンス分光 / p26 (0030.jp2)
  11. 2-5.まとめ / p37 (0041.jp2)
  12. 参考文献 / p38 (0042.jp2)
  13. 第3章 アモルファスシリコン薄膜トランジスタ特性に及ぼすゲート絶縁膜[化学式]/活性層a-Si界面の影響 / p40 (0044.jp2)
  14. 3-1.緒言 / p40 (0044.jp2)
  15. 3-2.実験方法 / p42 (0046.jp2)
  16. 3-3.結果および考察 / p49 (0053.jp2)
  17. 3-4.まとめ / p68 (0072.jp2)
  18. 参考文献 / p70 (0074.jp2)
  19. 第4章 薄膜トランジスタ素子特性に及ぼすゲート絶縁膜[化学式]/活性層a-Si堆積順序効果 / p72 (0076.jp2)
  20. 4-1.緒言 / p72 (0076.jp2)
  21. 4-2.実験方法 / p73 (0077.jp2)
  22. 4-3.結果および考察 / p74 (0078.jp2)
  23. 4-4.まとめ / p83 (0087.jp2)
  24. 参考文献 / p84 (0088.jp2)
  25. 第5章 [化学式]ゲ-ト絶縁膜a-Si TFT / p85 (0089.jp2)
  26. 5-1.緒言 / p85 (0089.jp2)
  27. 5-2.実験方法 / p86 (0090.jp2)
  28. 5-3.結果および考察 / p89 (0093.jp2)
  29. 5-4.まとめ / p102 (0106.jp2)
  30. 参考文献 / p105 (0109.jp2)
  31. 第6章 [化学式]二層ゲート絶縁膜a-Si TFT / p107 (0111.jp2)
  32. 6-1.緒言 / p107 (0111.jp2)
  33. 6-2.実験方法 / p109 (0113.jp2)
  34. 6-3.結果および考察 / p111 (0115.jp2)
  35. 6-4.まとめ / p128 (0132.jp2)
  36. 参考文献 / p129 (0133.jp2)
  37. 第7章 結論 / p130 (0134.jp2)
  38. 謝辞 / p134 (0138.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000075547
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000075746
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000239861
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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