Heteroepitaxial growth of GaAs on Si by MOCVD and its application to optoelectronic devices MOCVD法を用いたSi上へのGaAsヘテロエピタキシャル成長および光電子デバイスへの応用

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著者

    • 江川, 孝志 エガワ, タカシ

書誌事項

タイトル

Heteroepitaxial growth of GaAs on Si by MOCVD and its application to optoelectronic devices

タイトル別名

MOCVD法を用いたSi上へのGaAsヘテロエピタキシャル成長および光電子デバイスへの応用

著者名

江川, 孝志

著者別名

エガワ, タカシ

学位授与大学

名古屋工業大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第61号

学位授与年月日

1991-03-23

注記・抄録

博士論文

甲第061号 主査:梅野 正義

目次

  1. CONTENTS / (0003.jp2)
  2. Chapter 1. Introduction / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 Background / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 Heteroepitaxial Growth of GaAs Layers on Si / p4 (0007.jp2)
  5. 1.3 Device Applications / p6 (0008.jp2)
  6. 1.4 Purpose and Organization of Dissertation / p9 (0009.jp2)
  7. References / p12 (0011.jp2)
  8. Chapter 2. Heteroepitaxial Growth of GaAs Layers on Si / p20 (0015.jp2)
  9. 2.1 Introduction / p20 (0015.jp2)
  10. 2.2 Heteroepitaxial Growth of GaAs Layers on Si / p21 (0015.jp2)
  11. 2.3 Growth of AlGaAs/GaAs Quantum Wells on Si / p39 (0024.jp2)
  12. 2.4 Selective Area Growth of GaAs Layers on Si / p45 (0027.jp2)
  13. 2.5 Unintentional Si Autodoping / p48 (0029.jp2)
  14. 2.6 Conclusions / p57 (0033.jp2)
  15. References / p59 (0034.jp2)
  16. Chapter 3. Laser Diodes Grown on Si / p62 (0036.jp2)
  17. 3.1 Introduction / p62 (0036.jp2)
  18. 3.2 AlGaAs/GaAs Double Heterostructure Lasers / p64 (0037.jp2)
  19. 3.3 AlGaAs/GaAs Single Quantum Well Lasers / p74 (0042.jp2)
  20. 3.4 Conclusions / p101 (0055.jp2)
  21. References / p103 (0056.jp2)
  22. Chapter 4. Schottky Diodes Grown on Si / p106 (0058.jp2)
  23. 4.1 Introduction / p106 (0058.jp2)
  24. 4.2 Epitaxial Growth and Fabrication Process / p107 (0058.jp2)
  25. 4.3 Crystallinity and Schottky Diode Characteristics / p109 (0059.jp2)
  26. 4.4 Conclusions / p127 (0068.jp2)
  27. References / p130 (0070.jp2)
  28. Chapter 5. GaAs MESFET's Grown on Si / p133 (0071.jp2)
  29. 5.1 Introduction / p133 (0071.jp2)
  30. 5.2 Epitaxial Growth and Fabrication Process / p135 (0072.jp2)
  31. 5.3 DC Characteristics / p142 (0076.jp2)
  32. 5.4 Sidegating Effect / p151 (0080.jp2)
  33. 5.5 Microscopic Uniformity of Electrical Property / p153 (0081.jp2)
  34. 5.6 Conclusions / p158 (0084.jp2)
  35. References / p160 (0085.jp2)
  36. Chapter 6. Summary / p163 (0086.jp2)
  37. Scope for Future Work / p168 (0089.jp2)
  38. Acknowledgments / p170 (0090.jp2)
  39. List of Publications / p171 (0090.jp2)
1アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000075635
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000075834
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • eng
  • NDL書誌ID
    • 000000239949
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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