プラズマを用いたダイヤモンド膜の低温気相合成 プラズマ オ モチイタ ダイヤモンドマク ノ テイオン キソウ ゴウセイ
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Bibliographic Information
- Title
-
プラズマを用いたダイヤモンド膜の低温気相合成
- Other Title
-
プラズマ オ モチイタ ダイヤモンドマク ノ テイオン キソウ ゴウセイ
- Author
-
中尾, 節男
- Author(Another name)
-
ナカオ, セツオ
- University
-
名古屋工業大学
- Types of degree
-
工学博士
- Grant ID
-
甲第64号
- Degree year
-
1991-03-23
Note and Description
博士論文
主査：丸野 重雄
Table of Contents
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
- 1.1 はじめに / p1 (0004.jp2)
- 1.2 ダイヤモンド膜の特性と応用 / p2 (0005.jp2)
- 1.3 ダイヤモンド膜の気相合成の歴史 / p5 (0006.jp2)
- 1.4 ダイヤモンド膜の作製 / p6 (0007.jp2)
- 1.5 本研究の目的と概要 / p9 (0008.jp2)
- 第1章の参考文献 / p11 (0009.jp2)
- 第2章 高周波イオンプレーティング法によるダイヤモンド状カーボン膜の作製 / p14 (0011.jp2)
- 2.1 はじめに / p14 (0011.jp2)
- 2.2 実験方法 / p15 (0011.jp2)
- 2.3 結果と考察 / p16 (0012.jp2)
- 2.4 まとめ / p27 (0017.jp2)
- 第2章の参考文献 / p28 (0018.jp2)
- 第3章 高周波プラズマCVD法によるダイヤモンド状カーボン膜の作製 / p30 (0019.jp2)
- 3.1 はじめに / p30 (0019.jp2)
- 3.2 実験方法 / p30 (0019.jp2)
- 3.3 結果と考察 / p32 (0020.jp2)
- 3.4 まとめ / p37 (0022.jp2)
- 第3章の参考文献 / p38 (0023.jp2)
- 第4章 DCプラズマCVD法による比較的低い基板温度でのダイヤモンド構造の形成 / p40 (0024.jp2)
- 4.1 はじめに / p40 (0024.jp2)
- 4.2 実験方法 / p41 (0024.jp2)
- 4.3 放電電流および基板温度によるダイヤモンド膜の変化 / p42 (0025.jp2)
- 4.4 放電電流および基板温度のダイヤモンド構造形成への影響 / p48 (0028.jp2)
- 4.5 まとめ / p50 (0029.jp2)
- 第4章の参考文献 / p51 (0029.jp2)
- 第5章 水素プラズマによる基板の前処理のダイヤモンド膜に与える影響 / p53 (0030.jp2)
- 5.1 はじめに / p53 (0030.jp2)
- 5.2 実験方法 / p54 (0031.jp2)
- 5.3 結果と考察 / p54 (0031.jp2)
- 5.4 まとめ / p61 (0034.jp2)
- 第5章の参考文献 / p61 (0034.jp2)
- 第6章 DCプラズマCVD法によるA1基板上へのダイヤモンド膜の作製 / p64 (0036.jp2)
- 6.1 はじめに / p64 (0036.jp2)
- 6.2 実験方法 / p65 (0036.jp2)
- 6.3 結果と考察 / p66 (0037.jp2)
- 6.4 まとめ / p82 (0045.jp2)
- 第6章の参考文献 / p83 (0045.jp2)
- 第7章 総括 / p85 (0046.jp2)
- 付録1 水素化カーボン膜のC-Hストレッチング振動による赤外吸収スペクトル / p88 (0048.jp2)
- 付録2 ダイヤモンド,グラファイト,アモルファスカーボンのエネルギー損失スペクトル / p89 (0048.jp2)
- 謝辞 / p90 (0049.jp2)
- 本論文に関連した研究発表 / p91 (0049.jp2)