Studies on deep level characterization and optoelectronic device application of rapidly thermal-processed GaAs 短時間熱処理されたGaAsの深い準位の評価と光電素子への応用に関する研究

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著者

    • 北川, 章夫 キタガワ, アキオ

書誌事項

タイトル

Studies on deep level characterization and optoelectronic device application of rapidly thermal-processed GaAs

タイトル別名

短時間熱処理されたGaAsの深い準位の評価と光電素子への応用に関する研究

著者名

北川, 章夫

著者別名

キタガワ, アキオ

学位授与大学

名古屋工業大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第23号

学位授与年月日

1991-03-15

注記・抄録

博士論文

乙第023号 主査:和田 隆夫

目次

  1. CONTENTS / p3 (0004.jp2)
  2. I.INTRODUCTION / p1 (0005.jp2)
  3. References / p4 (0007.jp2)
  4. II.CHARACTERISTICS OF DEEP LEVELS IN Si-IMPLANTED GaAs LAYERS ACTIVATED BY RAPID THERMAL PROCESSING / p9 (0009.jp2)
  5. 2.1 Introduction / p9 (0009.jp2)
  6. 2.2 Experimental technique / p10 (0010.jp2)
  7. 2.3 Carrier concentration profiles in active layers / p11 (0010.jp2)
  8. 2.4 Deep levels in implanted layers / p13 (0011.jp2)
  9. 2.5 The thermal stability of the trap EL2 / p22 (0016.jp2)
  10. 2.6 Summary / p27 (0018.jp2)
  11. References / p27 (0018.jp2)
  12. III.EFFECTS OF RAPID THERMAL PROCESSING ON DEEP LEVELS IN MOLECULAR-BEAM-EPITAXIAL GaAs / p30 (0020.jp2)
  13. 3.1 Introduction / p30 (0020.jp2)
  14. 3.2 Experiment / p31 (0020.jp2)
  15. 3.3 Defect production by RTP / p32 (0021.jp2)
  16. 3.4 Annealing behavior of traps by RTP / p36 (0023.jp2)
  17. 3.5 Spatial variations of RTP-induced trap EL2 and N1 concentration / p38 (0024.jp2)
  18. 3.6 Analysis of the thermal stress in the GaAs wafers during RTP / p45 (0027.jp2)
  19. 3.7 Correspondence of the defect distribution with the thermal stress profile / p55 (0032.jp2)
  20. 3.8 Summary / p63 (0036.jp2)
  21. References / p64 (0037.jp2)
  22. IV.DISTRIBUTION OF DEEP LEVELS AND IMAGE PROCESSING FOR SEMI-INSULATING GaAs WAFERS / p67 (0038.jp2)
  23. 4.1 Introduction / p67 (0038.jp2)
  24. 4.2 Contactless measurement by the reflectance microwave probe method / p68 (0039.jp2)
  25. 4.3 Redistribution of defects by RTP / p72 (0041.jp2)
  26. 4.4 Distributions of dislocation and EL2 in LEC GaAs substrates / p77 (0043.jp2)
  27. 4.5 Summary / p79 (0044.jp2)
  28. References / p79 (0044.jp2)
  29. V.SPECTRAL RESPONSES OF GaAs PHOTODIODES FABRICATED BY RAPID THERMAL DIFFUSION / p81 (0045.jp2)
  30. 5.1 Introduction / p81 (0045.jp2)
  31. 5.2 Device processing for GaAs photodiodes / p82 (0046.jp2)
  32. 5.3 Experimental diffusion profiles / p83 (0046.jp2)
  33. 5.4 Characteristics of photodiodes fabricated by RTD / p87 (0048.jp2)
  34. 5.5 Numerical analysis of spectral responses / p93 (0051.jp2)
  35. 5.6 Summary / p96 (0053.jp2)
  36. References / p96 (0053.jp2)
  37. VI.CONCLUSIONS / p99 (0054.jp2)
  38. ACKNOWLEDGEMENTS / p103 (0056.jp2)
  39. ADDENDUM / p105 (0057.jp2)
  40. List of Publications / p105 (0057.jp2)
  41. List of Oral Presentations / p106 (0058.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000075644
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000075843
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • eng
  • NDL書誌ID
    • 000000239958
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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