化合物および混晶半導体の結晶成長と酸化膜成長に関する研究 カゴウブツ オヨビ コンショウ ハンドウタイ ノ ケッショウ セイチョウ ト サンカマク セイチョウ ニカンスル ケンキュウ
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Bibliographic Information
- Title
-
化合物および混晶半導体の結晶成長と酸化膜成長に関する研究
- Other Title
-
カゴウブツ オヨビ コンショウ ハンドウタイ ノ ケッショウ セイチョウ ト サンカマク セイチョウ ニカンスル ケンキュウ
- Author
-
北村, 登
- Author(Another name)
-
キタムラ, ノボル
- University
-
名古屋工業大学
- Types of degree
-
工学博士
- Grant ID
-
乙第24号
- Degree year
-
1991-03-15
Note and Description
博士論文
主査：和田 隆夫
Table of Contents
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
- 1.1 本研究の背景ならびに目的 / p1 (0007.jp2)
- 1.2 本研究の概要 / p3 (0008.jp2)
- 参考文献 / p4 (0009.jp2)
- 第2章 ZnTeの不均等化反応による気相成長 / p5 (0009.jp2)
- 2.1 緒言 / p5 (0009.jp2)
- 2.2 不均等化反応 / p5 (0009.jp2)
- 2.3 気相成長実験 / p7 (0010.jp2)
- 2.4 実験結果および考察 / p7 (0010.jp2)
- 2.5 結言 / p12 (0013.jp2)
- 参考文献 / p13 (0013.jp2)
- 第3章 [化学式]の不均等化反応による気相エピタキシャル成長 / p14 (0014.jp2)
- 3.1 緒言 / p14 (0014.jp2)
- 3.2 不均等化反応を利用する成長系における輸送速度の熱力学計算 / p14 (0014.jp2)
- 3.3 気相エピタキシャル成長実験 / p20 (0017.jp2)
- 3.4 実験結果および考察 / p22 (0018.jp2)
- 3.5 結言 / p27 (0020.jp2)
- 参考文献 / p27 (0020.jp2)
- 第4章 気相エピタキシャル成長[化学式]の電気的評価 / p28 (0021.jp2)
- 4.1 緒言 / p28 (0021.jp2)
- 4.2 比抵抗､移動度､キャリア密度の測定 / p28 (0021.jp2)
- 4.3 不純物添加 / p31 (0022.jp2)
- 4.4 n-A1₀.₁₆Ga₀.₈₄Sb/p-GaSbダイオードの電気的特性 / p33 (0023.jp2)
- 4.5 結言 / p36 (0025.jp2)
- 参考文献 / p36 (0025.jp2)
- 第5章 気相エピタキシャル成長[化学式]の光学的評価 / p37 (0025.jp2)
- 5.1 緒言 / p37 (0025.jp2)
- 5.2 反射率スペクトルの測定 / p37 (0025.jp2)
- 5.3 反射率スペクトルの解析 / p38 (0026.jp2)
- 5.4 結言 / p42 (0028.jp2)
- 参考文献 / p42 (0028.jp2)
- 第6章 [化学式]の液相エピタキシャル成長 / p43 (0028.jp2)
- 6.1 緒言 / p43 (0028.jp2)
- 6.2 液相エピタキシャル成長 / p43 (0028.jp2)
- 6.3 LPE-[化学式]の評価実験および考察 / p47 (0030.jp2)
- 6.4 結言 / p53 (0033.jp2)
- 参考文献 / p54 (0034.jp2)
- 第7章 液相エピタキシャル成長A1₀.₁Ga₀.₉Sbの電気的評価 / p55 (0034.jp2)
- 7.1 緒言 / p55 (0034.jp2)
- 7.2 Al₀.₁Ga₀.₉Sb n⁺p接合の電流-電圧特性 / p55 (0034.jp2)
- 7.3 電流-電圧特性の解析 / p58 (0036.jp2)
- 7.4 考察 / p61 (0037.jp2)
- 7.5 結言 / p61 (0037.jp2)
- 参考文献 / p62 (0038.jp2)
- 第8章 液相エピタキシャル成長[化学式]の光学的評価 / p63 (0038.jp2)
- 8.1 緒言 / p63 (0038.jp2)
- 8.2 フォトルミネセンス測定実験 / p63 (0038.jp2)
- 8.3 実験結果および考察 / p63 (0038.jp2)
- 8.4 結言 / p70 (0042.jp2)
- 参考文献 / p70 (0042.jp2)
- 第9章 GaSbの酸化膜の成長と評価 / p71 (0042.jp2)
- 9.1 緒言 / p71 (0042.jp2)
- 9.2 GaSbの熱酸化膜の成長と評価 / p71 (0042.jp2)
- 9.3 GaSbの電子ビーム酸化膜の成長と評価 / p74 (0044.jp2)
- 9.4 GaSbの陽極酸化膜の成長と評価 / p77 (0045.jp2)
- 9.5 結言 / p79 (0046.jp2)
- 補足 / p79 (0046.jp2)
- 参考文献 / p81 (0047.jp2)
- 第10章 総括 / p82 (0048.jp2)
- 謝辞 / p85 (0049.jp2)
- 本研究に関する発表 / p86 (0050.jp2)