LPE結晶成長における溶液対流と電流偏析に関する研究

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著者

    • 麻川, 和裕 アサカワ, カズヒロ

書誌事項

タイトル

LPE結晶成長における溶液対流と電流偏析に関する研究

著者名

麻川, 和裕

著者別名

アサカワ, カズヒロ

学位授与大学

静岡大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第58号

学位授与年月日

1991-03-23

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 概要 / (0003.jp2)
  2. 目次 / p0 (0005.jp2)
  3. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  4. 1-1 本研究の背景 / p1 (0006.jp2)
  5. 1-2 本研究の目的及び本論文の構成 / p3 (0008.jp2)
  6. 参考文献 / p4 (0009.jp2)
  7. 第2章 水平及び垂直基板配置LPE装置の製作 / p5 (0010.jp2)
  8. 2-1 はじめに / p5 (0010.jp2)
  9. 2-2 水平基板配置用LPE装置 / p6 (0011.jp2)
  10. 2-3 垂直基板配置用LPE装置 / p9 (0014.jp2)
  11. 2-4 結晶成長及び評価 / p12 (0017.jp2)
  12. 2-5 まとめ / p14 (0019.jp2)
  13. 参考文献 / p15 (0020.jp2)
  14. 第3章 LPE成長 InxGa₁₋xSb結晶への溶液対流の影響 / p16 (0021.jp2)
  15. 3-1 はじめに / p16 (0021.jp2)
  16. 3-2 成長結晶モホロジーの観察 / p16 (0021.jp2)
  17. 3-3 結晶成長速度 / p28 (0033.jp2)
  18. 3-4 成長層全域でのIn組成比の変化 / p37 (0042.jp2)
  19. 3-5 溶液熱対流の数値計算 / p41 (0046.jp2)
  20. 3-6 まとめ / p63 (0068.jp2)
  21. 参考文献 / p64 (0069.jp2)
  22. 第4章 III-V、IV-VI族混晶半導体における電流偏析効果 / p65 (0070.jp2)
  23. 4-1 はじめに / p65 (0070.jp2)
  24. 4-2 Ⅲ-V族混晶 InxGa₁₋xSbのIn組成変調 / p66 (0071.jp2)
  25. 4-3 IV-VI族混晶 Pb₁₋xSnxTeのPb組成変調 / p77 (0082.jp2)
  26. 4-4 まとめ / p84 (0089.jp2)
  27. 参考文献 / p86 (0091.jp2)
  28. 第5章 結論 / p88 (0093.jp2)
  29. 謝辞 / (0095.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000075651
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000075850
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000239965
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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