負の電子親和力を持つGaAs光電面に対する残留ガスの影響

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著者

    • 和田, 達明 ワダ, タツアキ

書誌事項

タイトル

負の電子親和力を持つGaAs光電面に対する残留ガスの影響

著者名

和田, 達明

著者別名

ワダ, タツアキ

学位授与大学

静岡大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第59号

学位授与年月日

1991-03-23

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0004.jp2)
  2. 第1章 序章 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 はじめに / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 NEA表面 / p2 (0006.jp2)
  5. 1.3 NEA光電面の寿命 / p5 (0007.jp2)
  6. 1.4 本研究の目的 / p6 (0008.jp2)
  7. 参考文献 / p7 (0008.jp2)
  8. 第2章 NEAGaAs光電面 / p9 (0009.jp2)
  9. 2.1 はじめに / p9 (0009.jp2)
  10. 2.2 光電子放出の基礎原理 / p10 (0010.jp2)
  11. 2.3 提唱されているモデル / p13 (0011.jp2)
  12. 2.4 まとめ / p21 (0015.jp2)
  13. 参考文献 / p21 (0015.jp2)
  14. 第3章 NEA光電面の再活性化 / p23 (0016.jp2)
  15. 3.1 はじめに / p23 (0016.jp2)
  16. 3.2 試料の前処理 / p24 (0017.jp2)
  17. 3.3 光電流測定システム / p25 (0017.jp2)
  18. 3.4 NEA光電面の活性化 / p29 (0019.jp2)
  19. 3.5 NEA GaAs光電面の劣化特性 / p35 (0022.jp2)
  20. 3.6 Cs吸着による再活性化 / p37 (0023.jp2)
  21. 3.7 まとめ / p40 (0025.jp2)
  22. 参考文献 / p40 (0025.jp2)
  23. 第4章 NEA光電面へのC0₂、CO及びH₂0ガスの影響 / p42 (0026.jp2)
  24. 4.1 はじめに / p42 (0026.jp2)
  25. 4.2 実験方法 / p43 (0026.jp2)
  26. 4.3 結果 / p45 (0027.jp2)
  27. 4.4 考察 / p51 (0030.jp2)
  28. 4.5 結論 / p55 (0032.jp2)
  29. 参考文献 / p55 (0032.jp2)
  30. 第5章 昇温脱離法による解析 / p57 (0033.jp2)
  31. 5.1 はじめに / p57 (0033.jp2)
  32. 5.2 昇温脱離法 / p57 (0033.jp2)
  33. 5.3 昇温脱離スペクトル測定装置 / p58 (0034.jp2)
  34. 5.4 実験方法 / p67 (0038.jp2)
  35. 5.5 作製した昇温脱離測定システムの評価 / p69 (0039.jp2)
  36. 5.6 実験結果及び考察 / p72 (0041.jp2)
  37. 5.7 まとめ / p81 (0045.jp2)
  38. 参考文献 / p81 (0045.jp2)
  39. 第6章 総括 / p83 (0046.jp2)
  40. 謝辞 / p86 (0048.jp2)
6アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000075652
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000075851
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000239966
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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