マイクロ波プラズマのアフタグローにおける薄膜堆積過程の研究

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著者

    • Meikle, Scott Gerald ミークル, スコット ジェラルド

書誌事項

タイトル

マイクロ波プラズマのアフタグローにおける薄膜堆積過程の研究

著者名

Meikle, Scott Gerald

著者別名

ミークル, スコット ジェラルド

学位授与大学

静岡大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第61号

学位授与年月日

1991-03-23

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p4 (0005.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1.1節 アフタグローCVD法の背景 / p1 (0006.jp2)
  4. 1.2節 研究の概説、目的 / p4 (0008.jp2)
  5. 1.3節 論文の構成 / p5 (0008.jp2)
  6. 第2章 実験方法 / p7 (0009.jp2)
  7. 2.1節 実験装置 / p7 (0009.jp2)
  8. 2.2節 解析方法 / p12 (0012.jp2)
  9. 2.3節 堆積方法 / p16 (0014.jp2)
  10. 第3章 励起種の生成、寿命 / p22 (0017.jp2)
  11. 3.1節 原子生成効率の測定 / p22 (0017.jp2)
  12. 3.2節 低圧ECRプラズマの原子生成効率 / p27 (0019.jp2)
  13. 3.3節 原子の再結合過程 / p32 (0022.jp2)
  14. 3.4節 原子以外のアフタグロー励起種 / p36 (0024.jp2)
  15. 3.5節 むすび / p39 (0025.jp2)
  16. 第4章 AINの薄膜堆積 / p40 (0026.jp2)
  17. 4.1節 N₂/TMAによるAIN薄膜堆積 / p40 (0026.jp2)
  18. 4.2節 N原子反応を避ける堆積方法 / p53 (0032.jp2)
  19. 4.3節 むすび / p61 (0036.jp2)
  20. 第5章 SiNxの薄膜堆積 / p63 (0037.jp2)
  21. 5.1節 高圧領域の堆積 / p63 (0037.jp2)
  22. 5.2節 低圧領域の堆積 / p74 (0043.jp2)
  23. 5.3節 むすび / p78 (0045.jp2)
  24. 第6章 a-Si:Hの薄膜堆積 / p79 (0045.jp2)
  25. 6.1節 堆積過程 / p79 (0045.jp2)
  26. 6.2節 薄膜堆積 / p87 (0049.jp2)
  27. 6.3節 むすび / p95 (0053.jp2)
  28. 第7章 結論 / p97 (0054.jp2)
  29. 謝辞 / p100 (0056.jp2)
  30. 参考文献 / p102 (0057.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000075654
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000075853
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000239968
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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