マイクロ波プラズマのアフタグローにおける薄膜堆積過程の研究
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Author
Bibliographic Information
- Title
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マイクロ波プラズマのアフタグローにおける薄膜堆積過程の研究
- Author
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Meikle, Scott Gerald
- Author(Another name)
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ミークル, スコット ジェラルド
- University
-
静岡大学
- Types of degree
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工学博士
- Grant ID
-
甲第61号
- Degree year
-
1991-03-23
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / p4 (0005.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
- 1.1節 アフタグローCVD法の背景 / p1 (0006.jp2)
- 1.2節 研究の概説､目的 / p4 (0008.jp2)
- 1.3節 論文の構成 / p5 (0008.jp2)
- 第2章 実験方法 / p7 (0009.jp2)
- 2.1節 実験装置 / p7 (0009.jp2)
- 2.2節 解析方法 / p12 (0012.jp2)
- 2.3節 堆積方法 / p16 (0014.jp2)
- 第3章 励起種の生成､寿命 / p22 (0017.jp2)
- 3.1節 原子生成効率の測定 / p22 (0017.jp2)
- 3.2節 低圧ECRプラズマの原子生成効率 / p27 (0019.jp2)
- 3.3節 原子の再結合過程 / p32 (0022.jp2)
- 3.4節 原子以外のアフタグロー励起種 / p36 (0024.jp2)
- 3.5節 むすび / p39 (0025.jp2)
- 第4章 AINの薄膜堆積 / p40 (0026.jp2)
- 4.1節 N₂/TMAによるAIN薄膜堆積 / p40 (0026.jp2)
- 4.2節 N原子反応を避ける堆積方法 / p53 (0032.jp2)
- 4.3節 むすび / p61 (0036.jp2)
- 第5章 SiNxの薄膜堆積 / p63 (0037.jp2)
- 5.1節 高圧領域の堆積 / p63 (0037.jp2)
- 5.2節 低圧領域の堆積 / p74 (0043.jp2)
- 5.3節 むすび / p78 (0045.jp2)
- 第6章 a-Si:Hの薄膜堆積 / p79 (0045.jp2)
- 6.1節 堆積過程 / p79 (0045.jp2)
- 6.2節 薄膜堆積 / p87 (0049.jp2)
- 6.3節 むすび / p95 (0053.jp2)
- 第7章 結論 / p97 (0054.jp2)
- 謝辞 / p100 (0056.jp2)
- 参考文献 / p102 (0057.jp2)