ECRプラズマCVD法による低圧・低温下での大面積ダイヤモンド薄膜の合成に関する研究

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著者

    • 魏, 津 ウェイ, ジン

書誌事項

タイトル

ECRプラズマCVD法による低圧・低温下での大面積ダイヤモンド薄膜の合成に関する研究

著者名

魏, 津

著者別名

ウェイ, ジン

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第4344号

学位授与年月日

1991-03-26

注記・抄録

博士論文

09738

博士(工学)

1991-03-26

大阪大学

14401甲第04344号

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  3. 1・1 CVDダイヤモンドの歴史 / p1 (0007.jp2)
  4. 1・2 CVDダイヤモンドの形成 / p2 (0008.jp2)
  5. 1・3 本研究の目的 / p9 (0011.jp2)
  6. 参考文献 / p11 (0012.jp2)
  7. 第2章 ECRプラズマCVD装置 / p13 (0013.jp2)
  8. 2・1 緒言 / p13 (0013.jp2)
  9. 2・2 ECRプラズマCVD / p13 (0013.jp2)
  10. 2・3 本研究に使用したECRプラズマCVD装置 / p19 (0016.jp2)
  11. 2・3 結言 / p24 (0019.jp2)
  12. 参考文献 / p25 (0019.jp2)
  13. 第3章 ECRプラズマによるダイヤモンド薄膜の合成 / p27 (0020.jp2)
  14. 3・1 緒言 / p27 (0020.jp2)
  15. 3・2 低圧下でのダイヤモンドの合成 / p27 (0020.jp2)
  16. 3・3 ダイヤモンド薄膜の低温合成の最適条件 / p34 (0024.jp2)
  17. 3・4 4インチ基板上のダイヤモンド薄膜の合成 / p46 (0030.jp2)
  18. 3・5 結言 / p60 (0037.jp2)
  19. 参考文献 / p61 (0037.jp2)
  20. 第4章 CVDダイヤモンド生成を決定するプラズマパラメータの測定 / p63 (0038.jp2)
  21. 4・1 緒言 / p63 (0038.jp2)
  22. 4・2 プラズマパラメータの測定法 / p63 (0038.jp2)
  23. 4・3 ダイヤモンド生成に対するプラズマ密度の影響 / p71 (0042.jp2)
  24. 4・4 ダイヤモンド生成に対するプラズマ電位と基板電位の影響 / p77 (0045.jp2)
  25. 4・5 結言 / p84 (0049.jp2)
  26. 参考文献 / p85 (0049.jp2)
  27. 第5章 工学的応用 / p87 (0050.jp2)
  28. 5・1 緒言 / p87 (0050.jp2)
  29. 5・2 低融点基板のコーティング / p87 (0050.jp2)
  30. 5・3 半導体及び発光素子への応用 / p90 (0052.jp2)
  31. 5・4 結言 / p93 (0053.jp2)
  32. 参考文献 / p94 (0054.jp2)
  33. 第6章 結論 / p95 (0054.jp2)
  34. 謝辞 / p101 (0057.jp2)
  35. 研究業績 / p102 (0058.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000075779
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000075979
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000240093
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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