ECRプラズマCVD法による低圧・低温下での大面積ダイヤモンド薄膜の合成に関する研究
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Bibliographic Information
- Title
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ECRプラズマCVD法による低圧・低温下での大面積ダイヤモンド薄膜の合成に関する研究
- Author
-
魏, 津
- Author(Another name)
-
ウェイ, ジン
- University
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大阪大学
- Types of degree
-
工学博士
- Grant ID
-
甲第4344号
- Degree year
-
1991-03-26
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
- 1･1 CVDダイヤモンドの歴史 / p1 (0007.jp2)
- 1･2 CVDダイヤモンドの形成 / p2 (0008.jp2)
- 1･3 本研究の目的 / p9 (0011.jp2)
- 参考文献 / p11 (0012.jp2)
- 第2章 ECRプラズマCVD装置 / p13 (0013.jp2)
- 2･1 緒言 / p13 (0013.jp2)
- 2･2 ECRプラズマCVD / p13 (0013.jp2)
- 2･3 本研究に使用したECRプラズマCVD装置 / p19 (0016.jp2)
- 2･3 結言 / p24 (0019.jp2)
- 参考文献 / p25 (0019.jp2)
- 第3章 ECRプラズマによるダイヤモンド薄膜の合成 / p27 (0020.jp2)
- 3･1 緒言 / p27 (0020.jp2)
- 3･2 低圧下でのダイヤモンドの合成 / p27 (0020.jp2)
- 3･3 ダイヤモンド薄膜の低温合成の最適条件 / p34 (0024.jp2)
- 3･4 4インチ基板上のダイヤモンド薄膜の合成 / p46 (0030.jp2)
- 3･5 結言 / p60 (0037.jp2)
- 参考文献 / p61 (0037.jp2)
- 第4章 CVDダイヤモンド生成を決定するプラズマパラメータの測定 / p63 (0038.jp2)
- 4･1 緒言 / p63 (0038.jp2)
- 4･2 プラズマパラメータの測定法 / p63 (0038.jp2)
- 4･3 ダイヤモンド生成に対するプラズマ密度の影響 / p71 (0042.jp2)
- 4･4 ダイヤモンド生成に対するプラズマ電位と基板電位の影響 / p77 (0045.jp2)
- 4･5 結言 / p84 (0049.jp2)
- 参考文献 / p85 (0049.jp2)
- 第5章 工学的応用 / p87 (0050.jp2)
- 5･1 緒言 / p87 (0050.jp2)
- 5･2 低融点基板のコーティング / p87 (0050.jp2)
- 5･3 半導体及び発光素子への応用 / p90 (0052.jp2)
- 5･4 結言 / p93 (0053.jp2)
- 参考文献 / p94 (0054.jp2)
- 第6章 結論 / p95 (0054.jp2)
- 謝辞 / p101 (0057.jp2)
- 研究業績 / p102 (0058.jp2)
