有機金属分子線エピタキシーによるInGaAsSb系の結晶成長に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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有機金属分子線エピタキシーによるInGaAsSb系の結晶成長に関する研究
- 著者名
-
金子, 忠昭
- 著者別名
-
カネコ, タダアキ
- 学位授与大学
-
大阪大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
甲第4362号
- 学位授与年月日
-
1991-03-26
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
- 1.1 本研究の背景 / p1 (0004.jp2)
- 1.2 本研究の意義と目的 / p8 (0008.jp2)
- 1.3 本論文の構成 / p9 (0008.jp2)
- 参考文献 / p11 (0009.jp2)
- 第2章 成長装置と実験方法 / p14 (0011.jp2)
- 2.1 緒言 / p14 (0011.jp2)
- 2.2 装置システム / p14 (0011.jp2)
- 2.3 有機金属ガス材料 / p16 (0012.jp2)
- 2.4 結晶成長と評価 / p17 (0012.jp2)
- 2.5 結 言 / p18 (0013.jp2)
- 参考文献 / p20 (0014.jp2)
- 第3章 III族有機金属原料とV族固体原料を用いたMOMBE成長 / p21 (0014.jp2)
- 3.1 緒言 / p21 (0014.jp2)
- 3.2 GaSb成長 / p21 (0014.jp2)
- 3.3 InAs成長 / p28 (0018.jp2)
- 3.4 InSb成長 / p34 (0021.jp2)
- 3.5 InGaSb成長 / p36 (0022.jp2)
- 3.6 結言 / p37 (0022.jp2)
- 参考文献 / p38 (0023.jp2)
- 第4章 III族及びV族有機金属原料を用いたMOMBE成長 / p39 (0023.jp2)
- 4.1 緒言 / p39 (0023.jp2)
- 4.2 TESb､TEAsの熱分解 / p39 (0023.jp2)
- 4.3 GaAs成長 / p41 (0024.jp2)
- 4.4 GaSb成長 / p42 (0025.jp2)
- 4.5 InAsSb成長 / p45 (0026.jp2)
- 4.6 結言 / p47 (0027.jp2)
- 参考文献 / p49 (0028.jp2)
- 第5章 MOMBEの成長機構 / p50 (0029.jp2)
- 5.1 緒言 / p50 (0029.jp2)
- 5.2 TEGaの分解とRobertsonのモデル / p51 (0029.jp2)
- 5.3 V族分子の表面吸着 / p54 (0031.jp2)
- 5.4 反応過程とV族圧力依存性 / p63 (0035.jp2)
- 5.5 表面反応機構のモデル化 / p66 (0037.jp2)
- 5.6 結言 / p74 (0041.jp2)
- 参考文献 / p76 (0042.jp2)
- 第6章 多元混晶(AlGalnAsSb)の材料設計 / p77 (0042.jp2)
- 6.1 緒言 / p77 (0042.jp2)
- 6.2 五元混晶の物性パラメーター / p78 (0043.jp2)
- 6.3 禁制帯幅 / p81 (0044.jp2)
- 6.4 バンド不連続 / p83 (0045.jp2)
- 6.5 結言 / p88 (0048.jp2)
- 参考文献 / p89 (0048.jp2)
- 第7章 結論 / p91 (0049.jp2)
- 謝辞 / p95 (0051.jp2)
- 業績 / p96 (0052.jp2)
