窒化アルミニウム薄膜の結晶成長におよぼすイオン照射効果に関する研究

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著者

    • 緒方, 潔 オガタ, キヨシ

書誌事項

タイトル

窒化アルミニウム薄膜の結晶成長におよぼすイオン照射効果に関する研究

著者名

緒方, 潔

著者別名

オガタ, キヨシ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第5244号

学位授与年月日

1991-02-01

注記・抄録

博士論文

09471

博士(工学)

1991-02-01

大阪大学

14401乙第05244号

目次

  1. 論文内容の要旨 / (0002.jp2)
  2. 目次 / (0003.jp2)
  3. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  4. 1-1.本研究の背景 / p1 (0006.jp2)
  5. 1-2.窒化アルミニウム薄膜の合成 / p4 (0009.jp2)
  6. 1-3.イオン蒸着膜形成法 / p7 (0012.jp2)
  7. 1-4.本研究の目的と背景 / p9 (0014.jp2)
  8. 参考文献 / p10 (0015.jp2)
  9. 第2章 イオン蒸着薄膜形成法 / p12 (0017.jp2)
  10. 2-1.まえがき / p12 (0017.jp2)
  11. 2-2.イオン蒸着薄膜形成装置の構成 / p13 (0018.jp2)
  12. 2-3.イオン蒸着形成装置の特性 / p16 (0021.jp2)
  13. 2-4.まとめ / p38 (0043.jp2)
  14. 参考文献 / p40 (0045.jp2)
  15. 第3章 窒化アルミニウム薄膜の結晶成長 / p42 (0047.jp2)
  16. 3-1.まえがき / p42 (0047.jp2)
  17. 3-2.実験方法 / p43 (0048.jp2)
  18. 3-3.実験結果および検討 / p45 (0050.jp2)
  19. 3-4.結晶成長に対するイオン照射効果の一考察 / p73 (0078.jp2)
  20. 3-5.まとめ / p80 (0085.jp2)
  21. 参考文献 / p81 (0086.jp2)
  22. 第4章 窒化アルミニウム薄膜のC軸配向の方位制御 / p84 (0089.jp2)
  23. 4-1.まえがき / p84 (0089.jp2)
  24. 4-2.実験方法 / p85 (0090.jp2)
  25. 4-3.実験結果および検討 / p86 (0091.jp2)
  26. 4-4.イオンビームによる配向の方位制御に関する一考察 / p95 (0100.jp2)
  27. 4-5.まとめ / p97 (0102.jp2)
  28. 参考文献 / p98 (0103.jp2)
  29. 第5章 窒化アルミニウム薄膜の諸特性 / p100 (0105.jp2)
  30. 5-1.まえがき / p100 (0105.jp2)
  31. 5-2.各種諸特性の評価方法 / p101 (0106.jp2)
  32. 5-3.実験結果および検討 / p104 (0109.jp2)
  33. 5-4.AIN薄膜のバンド構造に対する一考察 / p114 (0119.jp2)
  34. 5-5.まとめ / p120 (0125.jp2)
  35. 参考文献 / p121 (0126.jp2)
  36. 第6章 結論 / p123 (0128.jp2)
  37. 関連発表論文 / (0130.jp2)
  38. 謝辞 / (0134.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000075841
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000076041
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000240155
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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