基板絶縁分離とその電界効果型増幅素子への応用に関する研究

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著者

    • 今井, 和雄 イマイ, カズオ

書誌事項

タイトル

基板絶縁分離とその電界効果型増幅素子への応用に関する研究

著者名

今井, 和雄

著者別名

イマイ, カズオ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第5288号

学位授与年月日

1991-02-26

注記・抄録

博士論文

09516

博士(工学)

1991-02-26

大阪大学

14401乙第05288号

目次

  1. 目次 / (0004.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1-1 本研究の背景 / p1 (0006.jp2)
  4. 1-2 本研究の目的と意義 / p5 (0008.jp2)
  5. 1-3 本論文の内容 / p6 (0009.jp2)
  6. 第2章 多孔質Si酸化膜の形成 / p8 (0010.jp2)
  7. 2-1 序言 / p8 (0010.jp2)
  8. 2-2 多孔質Si形成装置の開発 / p8 (0010.jp2)
  9. 2-3 多孔質Siの密度制御 / p12 (0012.jp2)
  10. 2-4 多孔質Siの酸化 / p22 (0017.jp2)
  11. 2-5 結言 / p33 (0022.jp2)
  12. 第3章 完全分離工程の構成 / p34 (0023.jp2)
  13. 3-1 序言 / p34 (0023.jp2)
  14. 3-2 基本工程の構成 / p34 (0023.jp2)
  15. 3-3 LSIに適した工程の構成 / p37 (0024.jp2)
  16. 3-4 結言 / p53 (0032.jp2)
  17. 第4章 LSI試作による実験的検討 / p54 (0033.jp2)
  18. 4-1 序言 / p54 (0033.jp2)
  19. 4-2 MOSFETの試作と特性評価 / p54 (0033.jp2)
  20. 4-3 2kGゲートアレイの試作と特性評価 / p64 (0038.jp2)
  21. 4-4 16kbitSRAMの試作と特性評価 / p68 (0040.jp2)
  22. 4-5 結言 / p72 (0042.jp2)
  23. 第5章 ウエハ接着によるSOI形成の検討 / p73 (0042.jp2)
  24. 5-1 序言 / p73 (0042.jp2)
  25. 5-2 BPSGによる接着特性評価 / p73 (0042.jp2)
  26. 5-3 薄層化の検討 / p77 (0044.jp2)
  27. 5-4 結言 / p87 (0049.jp2)
  28. 第6章 結論 / p88 (0050.jp2)
  29. 6-1 本研究で明らかにしたこと / p88 (0050.jp2)
  30. 6-2 今後の展望と課題 / p90 (0051.jp2)
  31. 謝辞 / p91 (0051.jp2)
  32. 参考文献 / p92 (0052.jp2)
  33. 研究業績目録 / p93 (0052.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000075885
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000076086
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000240199
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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