基板絶縁分離とその電界効果型増幅素子への応用に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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基板絶縁分離とその電界効果型増幅素子への応用に関する研究
- 著者名
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今井, 和雄
- 著者別名
-
イマイ, カズオ
- 学位授与大学
-
大阪大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
乙第5288号
- 学位授与年月日
-
1991-02-26
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / (0004.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
- 1-1 本研究の背景 / p1 (0006.jp2)
- 1-2 本研究の目的と意義 / p5 (0008.jp2)
- 1-3 本論文の内容 / p6 (0009.jp2)
- 第2章 多孔質Si酸化膜の形成 / p8 (0010.jp2)
- 2-1 序言 / p8 (0010.jp2)
- 2-2 多孔質Si形成装置の開発 / p8 (0010.jp2)
- 2-3 多孔質Siの密度制御 / p12 (0012.jp2)
- 2-4 多孔質Siの酸化 / p22 (0017.jp2)
- 2-5 結言 / p33 (0022.jp2)
- 第3章 完全分離工程の構成 / p34 (0023.jp2)
- 3-1 序言 / p34 (0023.jp2)
- 3-2 基本工程の構成 / p34 (0023.jp2)
- 3-3 LSIに適した工程の構成 / p37 (0024.jp2)
- 3-4 結言 / p53 (0032.jp2)
- 第4章 LSI試作による実験的検討 / p54 (0033.jp2)
- 4-1 序言 / p54 (0033.jp2)
- 4-2 MOSFETの試作と特性評価 / p54 (0033.jp2)
- 4-3 2kGゲートアレイの試作と特性評価 / p64 (0038.jp2)
- 4-4 16kbitSRAMの試作と特性評価 / p68 (0040.jp2)
- 4-5 結言 / p72 (0042.jp2)
- 第5章 ウエハ接着によるSOI形成の検討 / p73 (0042.jp2)
- 5-1 序言 / p73 (0042.jp2)
- 5-2 BPSGによる接着特性評価 / p73 (0042.jp2)
- 5-3 薄層化の検討 / p77 (0044.jp2)
- 5-4 結言 / p87 (0049.jp2)
- 第6章 結論 / p88 (0050.jp2)
- 6-1 本研究で明らかにしたこと / p88 (0050.jp2)
- 6-2 今後の展望と課題 / p90 (0051.jp2)
- 謝辞 / p91 (0051.jp2)
- 参考文献 / p92 (0052.jp2)
- 研究業績目録 / p93 (0052.jp2)
